公开(公告)号：CN118019439A

公开(公告)日：2024-05-10

申请号：CN202311844549.4

申请日：2023-12-28

Applicant: 北京大学

Inventor： 刘力锋 ,  李睿意 ,  马晓璐 ,  黄鹏 ,  康晋锋 ,  张兴

IPC: H10N70/00

Abstract: 本发明提供易失型阻变器件的耐久性优化制备方法及易失型阻变器件，涉及易失型阻变器件技术领域，所述方法包括：在衬底上形成第一电极层；在第一电极层上涂覆光刻胶，对光刻胶进行曝光和显影以在第一电极层上形成图案区域；在图案区域上形成阻变层；在阻变层上形成第二电极层；去除光刻胶；方法还包括：在图案区域上形成界面层，界面层位于第一电极层与阻变层之间；和/或，在填充氩气和氧气的环境中按照预设氧分压范围形成阻变层；和/或，在含氧环境下退火预设时间。通过形成界面层的结构、控制氧分压在预设氧分压范围内、含氧环境下退火实现氧气退火这三种方式之一或组合，在没有外部激励电压的情况下，避免形成导电通道导致高阻态失效。

公开(公告)号：CN118019350A

公开(公告)日：2024-05-10

申请号：CN202311839117.4

申请日：2023-12-28

Applicant: 北京大学

Inventor： 刘力锋 ,  伊亚玎 ,  马晓璐 ,  黄鹏 ,  康晋锋 ,  张兴

IPC: H10B63/00 ,  H10N70/00

Abstract: 本发明涉及存储技术领域，提供一种四电极结构的阻变存储器及其制备方法，该四电极结构的阻变存储器包括底电极、介质层和顶电极，介质层设于底电极上；顶电极设于介质层上，且顶电极完全覆盖介质层；其中，顶电极包括四块不同材质的金属单元。本发明的四电极结构的阻变存储器通过将顶电极设置为多个不同材质的金属单元，使得不同材料的顶电极能够同时与同一材质的介质层实现接触，不同材料的顶电极与介质层接触能够实现不同的界面势垒结构、界面反应、储存离子能力等特性，从而控制氧离子或金属阳离子在电极与介质界面处的储存和注入行为，有助于改善器件的阻变特性。