一种范德瓦尔斯各向异性磁振子只读存储器及其实现方法

    公开(公告)号:CN114864629A

    公开(公告)日:2022-08-05

    申请号:CN202210549770.6

    申请日:2022-05-20

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明公开了一种范德瓦尔斯各向异性磁振子只读存储器及其实现方法。本发明利用范德瓦尔斯各向异性磁性绝缘体薄层中磁振子传输的各向异性,通过控制每个信息位上探测电极的长边取向,实现“0”和“1”信号的准确写入;在读取时,通过热注入的方式使得范德瓦尔斯各向异性磁性绝缘体薄层中产生磁振子的自旋流,并利用磁振子的长程量子输运以及界面自旋‑交换相互作用,在探测电极中引起了自旋流,并利用探测电极的强自旋轨道耦合特性,通过逆自旋霍尔效应测到了该自旋流引起的电压信号,从而能实现“0”和“1”信号的准确读取;本发明能够直接与基于磁振子的逻辑运算自旋电子学器件集成,用于新一代基于自旋的集成电路中。

    双路自旋角动量和动量方向可控的单光子发射器及其方法

    公开(公告)号:CN116381933A

    公开(公告)日:2023-07-04

    申请号:CN202310259895.X

    申请日:2023-03-17

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明公开了一种双路自旋角动量和动量方向可控的单光子发射器及其方法。本发明通过各个纳米散射单元的内部结构来独立地控制发射光子的自旋角动量,与散射光相位无关;通过各个纳米散射单元的位置来控制发射光子的动量方向,与散射光相位有关,两种控制互不影响,发射光子的自旋角动量和动量方向的控制能够独立设计;将两套分别对应于两路发射光子的超表面结构进行结构组合构成双路单光子发射器,实现双路的单光子发射,每一路发射光子的自旋角动量和动量方向都可以通过各自对应的超表面结构进行独立控制;发射角最大可达53°,并且相位无关方案使自旋角动量对单光子源相对于超表面的精确位置不敏感,不再需要高精度的单光子源定位和对准技术。

    三路自旋角动量和动量方向可控的单光子发射器及其方法

    公开(公告)号:CN116300069A

    公开(公告)日:2023-06-23

    申请号:CN202310259892.6

    申请日:2023-03-17

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明公开了一种三路自旋角动量和动量方向可控的单光子发射器及其方法。本发明通过各个纳米散射单元的内部结构来独立地控制发射光子的自旋角动量,方案与散射光相位无关;通过各个纳米散射单元的位置来控制发射光子的动量方向,方案与散射光相位有关,由于这两种方案互不影响,发射光子的自旋角动量和动量方向的控制能够独立设计;将两套分别对应于三路发射光子的超表面结构以设定的方式组合构成三路单光子发射器,能够实现三路的单光子发射,每一路发射光子的自旋角动量和动量方向都能够通独立控制;发射角最大可达53°,并且相位无关方案使自旋角动量对单光子源相对于超表面的精确位置不敏感,不再需要高精度的单光子源定位和对准技术。

    一种范德瓦尔斯各向异性磁振子只读存储器及其实现方法

    公开(公告)号:CN114864629B

    公开(公告)日:2024-05-24

    申请号:CN202210549770.6

    申请日:2022-05-20

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明公开了一种范德瓦尔斯各向异性磁振子只读存储器及其实现方法。本发明利用范德瓦尔斯各向异性磁性绝缘体薄层中磁振子传输的各向异性,通过控制每个信息位上探测电极的长边取向,实现“0”和“1”信号的准确写入;在读取时,通过热注入的方式使得范德瓦尔斯各向异性磁性绝缘体薄层中产生磁振子的自旋流,并利用磁振子的长程量子输运以及界面自旋‑交换相互作用,在探测电极中引起了自旋流,并利用探测电极的强自旋轨道耦合特性,通过逆自旋霍尔效应测到了该自旋流引起的电压信号,从而能实现“0”和“1”信号的准确读取;本发明能够直接与基于磁振子的逻辑运算自旋电子学器件集成,用于新一代基于自旋的集成电路中。

    一种自旋角动量和动量方向可控的单光子发射器及其方法

    公开(公告)号:CN116300072A

    公开(公告)日:2023-06-23

    申请号:CN202310271423.6

    申请日:2023-03-17

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明公开了一种自旋角动量和动量方向可控的单光子发射器及其方法。本发明包括金属衬底、纳米散射单元、介质间隔层和单光子源;本发明通过各个纳米散射单元的内部结构来独立地控制发射光子的自旋角动量,方案与散射光相位无关;通过各个纳米散射单元的位置来控制发射光子的动量方向,方案与散射光相位有关,由于这两种方案互不影响,发射光子的自旋角动量和动量方向的控制能够独立设计,实现自旋角动量和动量方向同时独立可控的单光子发射器;发射角最大可达53°,并且相位无关方案使自旋角动量对单光子源相对于超表面的精确位置不敏感,不再需要高精度的单光子源定位和对准技术。

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