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公开(公告)号：CN109473200A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201811520756.3
申请日：2018-12-12
Abstract: 提供一种透明导电玻璃，包括依次层叠的透明玻璃层、金属导电网络层和石墨烯层。还提供该透明导电玻璃的制备方法。本发明在有金属网络层的玻璃上直接生长石墨烯作为保护层与导电层的方法，所述方法可大大提高石墨烯-金属网络透明导电玻璃的稳定性与均匀性，且该方法可以用于大规模放量生产。
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公开(公告)号：CN109103314A
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201810972648.3
申请日：2018-08-24
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/007
Abstract: 本发明提供一种石墨烯紫外LED，石墨烯紫外LED包括：蓝宝石基底；石墨烯层，位于所述蓝宝石基底上；以及LED单元，位于所述石墨烯层上。本发明的石墨烯紫外LED器件可大大降低AlN薄膜中的应力和位错密度，使得制成的石墨烯紫外LED具有很高的发光效率，且可以避免使用过程中的过热问题，对于紫外器件的制造具有重大意义。本发明还提供上述石墨烯紫外LED的制备方法，基于石墨烯非常好的热导率和应力释放作用，以及表现为范德华外延生长的薄膜沉积过程，将传统工业中的两步成膜法转变为一步成膜法，显著降低生产成本。
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公开(公告)号：CN105731825A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201610124592.7
申请日：2016-03-04
Applicant: 北京大学
IPC: C03C17/34
CPC classification number: C03C17/3441 , C03C17/3435 , C03C2217/281 , C03C2218/152 , C03C2218/154
Abstract: 本发明提供一种利用石墨烯玻璃低成本大面积制备氮化铝薄膜的方法。包括：1)在玻璃基底表面进行石墨烯薄膜的沉积，得到表面覆盖有石墨烯的玻璃；2)在所述表面覆盖有石墨烯的玻璃的石墨烯表面直接进行高温AlN薄膜的沉积，得到AlN薄膜。所述玻璃为耐高温玻璃，选自下述任意一种：石英玻璃、蓝宝石玻璃和耐高温硼硅玻璃等。本发明先在廉价石英玻璃、蓝宝石等耐高温玻璃上生长出石墨烯，然后将氮化铝薄膜一步法直接生长在石墨烯缓冲层上，无需经过低温氮化铝生长过程，直接大幅度降低了AlN薄膜生产成本。得到的AlN可以进一步加工成LED器件，基于石墨烯非常好的热导率，制成的LED芯片可以避免使用过程中的过热问题。
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公开(公告)号：CN109081332B
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN201810979528.6
申请日：2018-08-24
IPC: C01B32/186
Abstract: 本发明提供一种石墨烯纳米图形化蓝宝石衬底及其制备方法，石墨烯纳米图形化蓝宝石衬底包括纳米图形化蓝宝石衬底和石墨烯层，所述石墨烯层形成在所述纳米图形化蓝宝石衬底的表面上。本发明在纳米图形化蓝宝石衬底上生长高质量、层数可控、均匀的石墨烯薄膜，制备出高质量石墨烯纳米图形化蓝宝石衬底，可有效显示装置的性能，同时制备工艺过程简单，可控性高，适合工业批量生产。
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公开(公告)号：CN109111122B
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN201710487148.6
申请日：2017-06-23
Applicant: 北京大学
IPC: C03C17/22
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯‑碳纳米管复合玻璃的制备方法，所述方法包括以下步骤：1)将低软化温度玻璃超声清洗；2)将清洗后的低软化温度玻璃置于高温管式炉中，向反应腔内通入Ar和H2，将反应腔升温至990℃‑1060℃；3)对低软化温度玻璃进行退火，待金属元素被还原至玻璃表面后，向反应腔内通入碳源性气体进行石墨烯‑碳纳米管复合薄膜生长，生长时间为0.5‑5h；4)石墨烯‑碳纳米管复合薄膜生长结束后，关闭碳源性气体，温度降至室温后关闭Ar/H2，即得到石墨烯‑碳纳米管复合玻璃。本发明能够在保证石墨烯玻璃高光透过率前提下，得到低面电阻透明导电玻璃，其热稳定性以及化学稳定性要远远优于常见ITO玻璃。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109166951A
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201810974236.3
申请日：2018-08-24
CPC classification number: H01L33/12 , H01L21/0242 , H01L21/02527 , H01L21/0262 , H01L33/0066 , H01L33/0075 , H01L33/22
Abstract: 本发明提供一种石墨烯纳米图形化蓝宝石衬底在紫外LED技术中的应用，包括石墨烯纳米图形化蓝宝石衬底和位于所述石墨烯纳米图形化蓝宝石衬底上的LED单元，其中所述石墨烯纳米图形化蓝宝石衬底包括：纳米图形化蓝宝石衬底；以及石墨烯层，形成在所述纳米图形化蓝宝石衬底的表面上。本发明的石墨烯紫外LED器件通过在纳米图形化蓝宝石衬底上生长高质量、层数可控、均匀的石墨烯薄膜，降低了外延紫外LED器件结构中量子阱处的位错密度与应力，提升光提取效率，为高光效紫外LED技术开发奠定了基础，对于紫外器件的制造具有重大意义。
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公开(公告)号：CN109119327A
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201810973406.6
申请日：2018-08-24
Abstract: 本发明提供一种在纳米图形化蓝宝石衬底上外延生长氮化铝的方法，包括：在纳米图形化蓝宝石衬底的表面沉积石墨烯层；对所述石墨烯层进行等离子体处理；以及在经处理后的所述石墨烯层上外延生长氮化铝层。本发明利用石墨烯纳米图形化蓝宝石衬底作为氮化铝外延生长的衬底，并对石墨烯层进行等离子体处理，借助于石墨烯作为缓冲层，利用范德华外延的性质，可降低晶格失配和热失配导致的高应力与高位错密度，从而有效提升外延氮化铝薄膜的质量。
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公开(公告)号：CN108871890B
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN201810272364.3
申请日：2018-03-29
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种利用转移或利用化学气相沉积直接生长的石墨烯作为保护层制备TEM样品的方法，其主要特点是将石墨烯转移到或者直接生长到需要制备TEM样品的材料表面，利用石墨烯来避免所需观察的材料在样品制备过程中造成的损伤与污染，并得到含有石墨烯保护层的TEM样品，若此保护层不影响实验观察，可将其直接放入透射电镜观察，若想除掉这层保护层，则在高温下(550℃)煅烧一段时间(2h)将其除去即可。本发明对于结构完整、零损伤TEM样品的制作具有重大意义。
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公开(公告)号：CN109166951B
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN201810974236.3
申请日：2018-08-24
Abstract: 本发明提供一种石墨烯纳米图形化蓝宝石衬底在紫外LED技术中的应用，包括石墨烯纳米图形化蓝宝石衬底和位于所述石墨烯纳米图形化蓝宝石衬底上的LED单元，其中所述石墨烯纳米图形化蓝宝石衬底包括：纳米图形化蓝宝石衬底；以及石墨烯层，形成在所述纳米图形化蓝宝石衬底的表面上。本发明的石墨烯紫外LED器件通过在纳米图形化蓝宝石衬底上生长高质量、层数可控、均匀的石墨烯薄膜，降低了外延紫外LED器件结构中量子阱处的位错密度与应力，提升光提取效率，为高光效紫外LED技术开发奠定了基础，对于紫外器件的制造具有重大意义。
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公开(公告)号：CN106521456A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201611024231.1
申请日：2016-11-18
Applicant: 北京大学
IPC: C23C16/455 , C23C16/52
CPC classification number: C23C16/45557 , C23C16/45559
Abstract: 本发明涉及一种进气方式及压力可调的多功能大尺寸化学气相沉积设备，包括：工艺腔室密封系统(3)、水冷热交换器(4)、压力调控系统(5)、进出气系统(6)以及电气控制系统(7)；其中，工艺腔室(1)的水平一端安装有炉门机构及腔室密封系统(3)，其水平另一端则与压力调控系统(5)相连接，压力调控系统(5)对工艺腔室(1)内部的压力进行调节；工艺腔室(1)的垂直向外围安装有加热炉体及开合系统(2)；水冷热交换器(4)位于加热炉体及开合系统(2)的顶部，对其做温度调节；进出气系统(6)连通到工艺腔室(1)的内部；电气控制系统(7)对整个CVD设备进行控制。(1)、加热炉体及开合系统(2)、炉门机构及腔室
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