公开(公告)号：CN108871890B

公开(公告)日：2021-08-24

申请号：CN201810272364.3

申请日：2018-03-29

Applicant: 北京大学

Inventor： 高鹏 ,  刘秉尧 ,  窦志鹏 ,  陈召龙 ,  刘忠范

IPC: G01N1/28 ,  G01N1/44

Abstract: 本发明公开了一种利用转移或利用化学气相沉积直接生长的石墨烯作为保护层制备TEM样品的方法，其主要特点是将石墨烯转移到或者直接生长到需要制备TEM样品的材料表面，利用石墨烯来避免所需观察的材料在样品制备过程中造成的损伤与污染，并得到含有石墨烯保护层的TEM样品，若此保护层不影响实验观察，可将其直接放入透射电镜观察，若想除掉这层保护层，则在高温下(550℃)煅烧一段时间(2h)将其除去即可。本发明对于结构完整、零损伤TEM样品的制作具有重大意义。

公开(公告)号：CN108871890A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201810272364.3

申请日：2018-03-29

Applicant: 北京大学

Inventor： 高鹏 ,  窦志鹏 ,  陈召龙 ,  刘忠范

IPC: G01N1/28 ,  G01N1/44

Abstract: 本发明公开了一种利用转移或利用化学气相沉积直接生长的石墨烯作为保护层制备TEM样品的方法，其主要特点是将石墨烯转移到或者直接生长到需要制备TEM样品的材料表面，利用石墨烯来避免所需观察的材料在样品制备过程中造成的损伤与污染，并得到含有石墨烯保护层的TEM样品，若此保护层不影响实验观察，可将其直接放入透射电镜观察，若想除掉这层保护层，则在高温下(550℃)煅烧一段时间(2h)将其除去即可。本发明对于结构完整、零损伤TEM样品的制作具有重大意义。