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公开(公告)号：CN114002867A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202111172552.7
申请日：2021-10-08
Applicant: 北京大学
IPC: G02F1/13 , G02F1/1333 , G02F1/1337 , C09K19/38
Abstract: 本发明公开了一种基于液晶性环氧光引发开环聚合的反式调光膜及其制备方法，该反式调光膜包括依次层叠的基板层、导电层、垂直取向层、液晶‑环氧基液晶高分子复合材料层、垂直取向层、导电层和基板层，液晶‑环氧基液晶高分子复合材料层由液晶、呈柱状结构的环氧基液晶高分子或/和呈刷状结构的环氧基液晶高分子构成，液晶填充于柱状结构或/和刷状结构的空隙之间。其制备方法中包括取液晶性环氧单体、负性液晶和阳离子光敏引发剂经环氧光引发开环聚合制备。本发明的反式调光膜中的环氧基液晶高分子机械强度高，耐疲劳，制得的反式调光膜在反复地通断电循环中不容易发生断裂，具有较好的开关态透过率和响应时间的循环稳定性。
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公开(公告)号：CN113322045A
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN202110571972.6
申请日：2021-05-25
Applicant: 北京大学
IPC: C09J175/08 , C08G18/48 , C08G18/38
Abstract: 本发明公开了一种聚硫醇改性的聚氨酯‑聚硫氨酯粘结材料，包括A、B、C三种组分，其中A组分为聚醚型羟基组分，B组分为异氰酸酯组分，C组分为硫醇化合物组分，A组分和B组分按一定比例混合均匀得到聚氨酯粘接剂，B组分和C组分按一定比例混合均匀得到聚硫氨酯粘接剂，A、B、C三种组分按一定比例混合均匀得到所述聚硫醇改性的聚氨酯‑聚硫氨酯粘结材料。该粘结材料具备环保、初始粘接强度高、综合粘接性能好、操作方便的特点，可广泛应用于陶瓷、玻璃、金属件以及高分子塑料的粘接。本发明在聚氨酯体系中引入硫醇结构，显著提高了其初始粘接强度，有利于工程应用。
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公开(公告)号：CN113322045B
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202110571972.6
申请日：2021-05-25
Applicant: 北京大学
IPC: C09J175/08 , C08G18/48 , C08G18/38
Abstract: 本发明公开了一种聚硫醇改性的聚氨酯‑聚硫氨酯粘结材料，包括A、B、C三种组分，其中A组分为聚醚型羟基组分，B组分为异氰酸酯组分，C组分为硫醇化合物组分，A组分和B组分按一定比例混合均匀得到聚氨酯粘接剂，B组分和C组分按一定比例混合均匀得到聚硫氨酯粘接剂，A、B、C三种组分按一定比例混合均匀得到所述聚硫醇改性的聚氨酯‑聚硫氨酯粘结材料。该粘结材料具备环保、初始粘接强度高、综合粘接性能好、操作方便的特点，可广泛应用于陶瓷、玻璃、金属件以及高分子塑料的粘接。本发明在聚氨酯体系中引入硫醇结构，显著提高了其初始粘接强度，有利于工程应用。
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公开(公告)号：CN110376783B
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN201910705446.7
申请日：2019-08-01
Applicant: 北京大学
IPC: G02F1/1333 , G02F1/1334 , C09K19/46
Abstract: 本发明公开了一种聚合物分散液晶薄膜的制备方法，包括由含有20％～25％的烷基联苯氰结构的液晶分子、含有45％～60％的烷氧基联苯氰结构的液晶分子、含有3％～5％的烷氧基三联苯氰结构的液晶分子、含有5％～20％的以酯基为中心桥键，一端为3,4二氰基苯结构的液晶分子和含有5％～20％的以酯基为中心桥键，一端为联苯氰结构的液晶分子中的一种或几种混配成的液晶混合物。将含量占体系总质量60％～90％的液晶混合物、含量占体系总质量10％～40％的聚合单体和含量占体系总质量0.5％～5％的光引发剂混合均匀后灌入液晶盒中，放于紫外灯下固化即可。用本发明制备的PDLC薄膜驱动电压低，对比度高，热稳定性好。
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公开(公告)号：CN110256810B
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN201910403176.4
申请日：2019-05-15
Applicant: 北京大学
IPC: C08L63/00 , C08L29/10 , C08K5/10 , C08K5/315 , C08J5/18 , C08G59/22 , C08G59/66 , C08F116/12 , G02F1/1337 , G02F1/137 , G02F1/139
Abstract: 本发明属于液晶材料领域，具体涉及一种低驱动电压的电控液晶调光膜。具体技术方案为：一种电控液晶调光膜，按质量分数，配方包括：25.0％～60.0％的液晶材料，1.0％～10.0％的液晶性紫外光可聚合单体，质量为液晶性紫外光可聚合单体和液晶材料总质量的0.1％～5.0％的引发剂，20.0％～30.0％的环氧单体，20.0％～30.0％的环氧固化剂，质量为环氧单体和环氧固化剂总质量的1.0％～10.0％的热固化促进剂，0.1％～5.0％的间隔粒子。通过本发明获得的液晶调光膜，电光特性优异，并具备良好的柔韧性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110376783A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201910705446.7
申请日：2019-08-01
Applicant: 北京大学
IPC: G02F1/1333 , G02F1/1334 , C09K19/46
Abstract: 本发明公开了一种聚合物分散液晶薄膜的制备方法，包括由含有20％～25％的烷基联苯氰结构的液晶分子、含有45％～60％的烷氧基联苯氰结构的液晶分子、含有3％～5％的烷氧基三联苯氰结构的液晶分子、含有5％～20％的以酯基为中心桥键，一端为3,4二氰基苯结构的液晶分子和含有5％～20％的以酯基为中心桥键，一端为联苯氰结构的液晶分子中的一种或几种混配成的液晶混合物。将含量占体系总质量60％～90％的液晶混合物、含量占体系总质量10％～40％的聚合单体和含量占体系总质量0.5％～5％的光引发剂混合均匀后灌入液晶盒中，放于紫外灯下固化即可。用本发明制备的PDLC薄膜驱动电压低，对比度高，热稳定性好。
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公开(公告)号：CN110312138A
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201910355295.7
申请日：2019-04-29
Applicant: 北京大学 , 中星技术股份有限公司
IPC: H04N19/467 , H04N19/172 , G06N3/04
Abstract: 本发明涉及一种基于时序残差卷积建模的高嵌入容量视频隐写方法和系统。该方法对秘密视频的参考帧和残差帧进行标记，采用Y型卷积神经网络同时处理参考帧和残差帧以隐藏秘密信息并输出载体视频帧，将载体视频帧合成为载体视频；采用Y型卷积神经网络恢复载体视频中的秘密信息。与基于卷积神经网络的图像隐写算法直接应用到视频隐写中相比，本发明通过发掘连续帧之间残差的稀疏性，采用两个Y型卷积神经网络结构，对不同性质的视频帧采用不同端点处理，同时共享部分卷积层参数。本发明能够将一段视频隐藏进另一段等长的视频中，隐藏的信息量可以达到24bpp，远大于传统方法，很大程度上解决了传统方法无法应用到高嵌入容量视频隐写中的问题。
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公开(公告)号：CN110188596A
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201910293659.3
申请日：2019-04-12
Applicant: 北京大学 , 中星技术股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种基于深度学习的监控视频行人实时检测、属性识别与跟踪方法及系统。本发明主要提出高效的行人检测、属性识别以及跟踪方法，并设计一种高效的调度方法，将模块之间进行串并联调度，使其在有限计算资源上尽可能多地进行多路视频行人实时检测，属性识别以及跟踪。本发明解决了现有技术存在的道路场景安防系统监控功能单一，监控效率不高的问题，提供用于道路场景安防监控的高效多功能安防系统，应用时通过对于行人进行监测、属性识别和跟踪，增强了监控的力度和强度，特别是针对重要场所，如机场、车站、地铁，能够有效抑制犯罪的发生，保障国民的人身财产安全。
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公开(公告)号：CN106597727A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201710017771.5
申请日：2017-01-11
Applicant: 北京大学
IPC: G02F1/1334 , G02F1/1343
CPC classification number: G02F1/1334 , G02F1/1343
Abstract: 本发明涉及一种透射光角度范围可调控的电控调光膜，包括：位于透射光侧的第一透射膜、聚合物分散液晶膜层、位于入射光侧的第二透射膜，所述第二透射膜的内侧或外侧带有周期性光遮蔽条纹；所述聚合物分散液晶膜层位于所述第一透射膜与第二透射膜之间。在电场关闭的情况下，聚合物分散液晶膜层呈光散射状态，透射光分布在较宽角度范围内；在电场开启的情况下，聚合物分散液晶膜层呈透明状态，入射光经过周期性光遮蔽条纹结构后，透射光分布在较窄角度范围内。本发明的电控调光膜具有透射光角度范围可调控的特点。该电控调光膜有望应用于显示器，通过电场的开启和关闭，使显示器在不同视角之间进行切换，在防窥与非防窥状态之间进行切换。
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公开(公告)号：CN1599076A
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：CN200410009436.3
申请日：2004-08-17
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/772
CPC classification number: H01L29/785 , H01L29/7832
Abstract: 本发明提供了一种准双栅场效应晶体管，属于微电子半导体技术领域。该准双栅场效应晶体管包括：源、漏区、隔离区、体以及前、后栅，前栅为多晶硅，前栅与沟道区之间设有一层栅氧，后栅为掺杂的单晶硅，后栅与体直接固定连接，形成P－N结。与传统的FinFET相比，本发明结构具有两个不同类型的控制栅，其中后栅(P－N结栅)用来耗尽沟道区，抑制泄漏电流；前栅用来在沟道区产生反型层，产生大的驱动电流。且本发明后栅与体直接连接，大大加强了器件的栅控能力，缓解了对隔离区宽度的限制。
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