公开(公告)号：CN113193038B

公开(公告)日：2022-08-26

申请号：CN202110354525.5

申请日：2021-04-01

Applicant: 北京大学

Inventor： 王新强 ,  杨流云 ,  郭镛彬 ,  王平 ,  刘放 ,  魏嘉琪 ,  王锦林 ,  叶昊天 ,  张振宇 ,  沈波

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/205 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明公开了一种p型沟道的III‑V族材料异质结构和HEMT器件及制备方法。本发明的p型沟道的III‑V族异质结构包括：衬底、缓冲层、势阱层、二维空穴气和势垒层，二维空穴气为极化诱导形成，无需掺杂；本发明的HEMT器件中的二维空穴气距离异质结构的表面近，能够实现器件的有效栅控；势垒层厚度薄，有利于形成平整的异质结界面，减小缺陷和粗糙度，提高二维空穴气的迁移率；异质结构中二维空穴气的浓度和距外延表面的距离皆可调，能够根据应用需求灵活设计。

公开(公告)号：CN113193038A

公开(公告)日：2021-07-30

申请号：CN202110354525.5

申请日：2021-04-01

Applicant: 北京大学

Inventor： 王新强 ,  杨流云 ,  郭镛彬 ,  王平 ,  刘放 ,  魏嘉琪 ,  王锦林 ,  叶昊天 ,  张振宇 ,  沈波

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/205 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明公开了一种p型沟道的III‑V族材料异质结构和HEMT器件及制备方法。本发明的p型沟道的III‑V族异质结构包括：衬底、缓冲层、势阱层、二维空穴气和势垒层，二维空穴气为极化诱导形成，无需掺杂；本发明的HEMT器件中的二维空穴气距离异质结构的表面近，能够实现器件的有效栅控；势垒层厚度薄，有利于形成平整的异质结界面，减小缺陷和粗糙度，提高二维空穴气的迁移率；异质结构中二维空穴气的浓度和距外延表面的距离皆可调，能够根据应用需求灵活设计。