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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115988956B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202310046225.X
申请日：2023-01-31
Applicant: 北京大学
IPC: H10N70/20
Abstract: 本发明公开了一种相变温度可调的超晶格Mott相变器件，包括单晶氧化铝基底及其上由多层单晶二氧化钒薄膜和单晶二氧化铌薄膜交替层叠构成的超晶格薄膜，器件电极位于超晶格薄膜上，两个电极之间为超晶格平面沟道区。通过PLD法在氧化铝基底上交替生长二氧化钒和二氧化铌单晶薄膜获得的超晶格薄膜不仅能够有效融合两种材料的相变特性，所引入的多个存在应力的晶体界面也会影响材料的相变温度，可以将Mott材料的相变温度调节到与集成电路芯片工作环境相匹配的范围。相较于离子掺杂调节相变温度的方式，本发明能够提供更大的相变温度调节范围，大幅度降低Mott器件的能量消耗，确保正常稳定的工作效果，对于神经形态器件的发展和广泛应用具有重要意义。
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公开(公告)号：CN115988956A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202310046225.X
申请日：2023-01-31
Applicant: 北京大学
IPC: H10N70/20
Abstract: 本发明公开了一种相变温度可调的超晶格Mott相变器件，包括单晶氧化铝基底及其上由多层单晶二氧化钒薄膜和单晶二氧化铌薄膜交替层叠构成的超晶格薄膜，器件电极位于超晶格薄膜上，两个电极之间为超晶格平面沟道区。通过PLD法在氧化铝基底上交替生长二氧化钒和二氧化铌单晶薄膜获得的超晶格薄膜不仅能够有效融合两种材料的相变特性，所引入的多个存在应力的晶体界面也会影响材料的相变温度，可以将Mott材料的相变温度调节到与集成电路芯片工作环境相匹配的范围。相较于离子掺杂调节相变温度的方式，本发明能够提供更大的相变温度调节范围，大幅度降低Mott器件的能量消耗，确保正常稳定的工作效果，对于神经形态器件的发展和广泛应用具有重要意义。
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公开(公告)号：CN118748033A
公开(公告)日：2024-10-08
申请号：CN202410743692.2
申请日：2024-06-11
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于电化学随机存取存储器的全并行向量外积计算操作方法，包括构建以电化学随机存取存储器及其栅极选通晶体管为基本单元的存储器阵列，以及相应的随机脉冲更新方法。其中，电化学随机存取存储器的电导变化与刺激脉冲数目成高度线性关系，在不施加刺激脉冲的时候，器件沟道电导保持不变，呈现非易失特性。通过随机脉冲编程，可以原位进行器件的电导更新和在线训练，并行完成向量外积计算，并将计算结果存储在器件的电导中，进行后续的网络存内计算加速，避免了额外的数据搬运，有效降低了操作复杂度和器件编程延迟。除此之外，该方案可以扩展到和赫布学习规则相关的网络训练范式中，加速相关算法的训练过程。
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公开(公告)号：CN113867639B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202111141322.4
申请日：2021-09-28
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于相变存储器的资格迹计算器，包括相变存储器阵列和结果转换器两部分。利用相变存储器的多值特性，将资格迹数据以电导的形式存储在存储器单元中，与传统的二值存储方式相比能够有效降低存储器单元的数量，实现高密度存储；利用相变存储器的电导漂移效应自发地实现随时间的衰减运算，无需使用其他运算电路，有效降低了运算的硬件开销；而且资格迹数据的存储和衰减运算都在相变存储器内部进行，避免了因频繁搬运数据产生的巨大能量消耗。此外，通过调节结果转换器中的参数，资格迹的衰减速度能够被灵活调整，从而适用于不同需求的强化学习任务。本发明还能够突破传统计算架构中存储墙的限制，促进强化学习的进一步发展。
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公开(公告)号：CN113867639A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202111141322.4
申请日：2021-09-28
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于相变存储器的资格迹计算器，包括相变存储器阵列和结果转换器两部分。利用相变存储器的多值特性，将资格迹数据以电导的形式存储在存储器单元中，与传统的二值存储方式相比能够有效降低存储器单元的数量，实现高密度存储；利用相变存储器的电导漂移效应自发地实现随时间的衰减运算，无需使用其他运算电路，有效降低了运算的硬件开销；而且资格迹数据的存储和衰减运算都在相变存储器内部进行，避免了因频繁搬运数据产生的巨大能量消耗。此外，通过调节结果转换器中的参数，资格迹的衰减速度能够被灵活调整，从而适用于不同需求的强化学习任务。本发明还能够突破传统计算架构中存储墙的限制，促进强化学习的进一步发展。
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