公开(公告)号：CN118566678A

公开(公告)日：2024-08-30

申请号：CN202410620248.1

申请日：2024-05-17

Applicant: 北京大学

Inventor： 魏进 ,  诺木琴 ,  劳云鸿

IPC: G01R31/26 ,  G01R27/02

Abstract: 本申请公开了一种电阻确定电路和电阻确定系统，电阻确定电路包括：第一控制模块，第一控制模块与高电子迁移率晶体管的控制端电连接；第二控制模块，第二控制模块与高电子迁移率晶体管的第一端电连接；高电子迁移率晶体管的第二端与基准电压端电连接；第一电容，第一电容的第一端与高电子迁移率晶体管的第一端以及第二控制模块电连接，第一电容的第二端与基准电压端电连接。本申请实施例能够基于一个电路实现软开关测试和硬开关测试。

公开(公告)号：CN116682861A

公开(公告)日：2023-09-01

申请号：CN202210163335.X

申请日：2022-02-22

Applicant: 北京大学

Inventor： 魏进 ,  诺木琴

IPC: H01L29/80 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明公开了一种具有p型冒层的半导体器件。所述半导体器件的p型冒层被分割为两个或更多个区域，这些p型冒层区域之间由介质层隔离。针对氮化物异质结场效应晶体管，通过将位于源漏极之间的p型冒层分隔为两个或更多个区域，离漏极最近的p型冒层区域会受到器件漏极电压的影响，但从离漏极第二近及更远的p型冒层区域起，受到器件漏极电压的影响就会明显减小，而由离漏极最近的p型冒层区域引起的器件的不稳定性被其他p型冒层区域所抵消，从而提高了器件的可靠性，改善了器件在电路中应用时的稳定性。