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公开(公告)号：CN103941178B
公开(公告)日：2017-07-18
申请号：CN201410165827.8
申请日：2014-04-23
Applicant: 北京大学
IPC: G01R31/317
Abstract: 本发明提供了一种检测集成电路制造工艺中工艺波动的检测电路，所述电路包括环振电路、时钟缓冲级、第一数级反相器链N以及第二数级反相器链P；所述环振电路为反相器级联构成；所述第一数级反相器链N为反相器级联，并挂载D触发器构成；所述第二数级反相器链P为反相器级联，并挂载D触发器构成。本发明的一种检测集成电路制造工艺中工艺波动的检测电路可以把NMOS和PMOS的波动分别测量出来，并以数字化的方式输出，方便读取数据，且有利于在片上进行集成，用于后续的工艺波动补偿。
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公开(公告)号：CN103941178A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201410165827.8
申请日：2014-04-23
Applicant: 北京大学
IPC: G01R31/317
Abstract: 本发明提供了一种检测集成电路制造工艺中工艺波动的检测电路，所述电路包括环振电路、时钟缓冲级、第一数级反相器链N以及第二数级反相器链P；所述环振电路为反相器级联构成；所述第一数级反相器链N为反相器级联，并挂载D触发器构成；所述第二数级反相器链P为反相器级联，并挂载D触发器构成。本发明的一种检测集成电路制造工艺中工艺波动的检测电路可以把NMOS和PMOS的波动分别测量出来，并以数字化的方式输出，方便读取数据，且有利于在片上进行集成，用于后续的工艺波动补偿。
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公开(公告)号：CN103323763A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310253482.7
申请日：2013-06-24
Applicant: 北京大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及集成电路技术领域，特别涉及一种测量阈值电压和饱和漏电流退化电路。该电路包括：PMOS晶体管、NMOS晶体管、负载电容、电压比较器、第一数级反相器链和第二数级反相器链，上述部件组成一个三角波产生电路。本发明提供的测量阈值电压和饱和漏电流退化电路，采用将三角波产生电路与MOS晶体管的阈值电压及饱和漏电流的退化测试结合起来，将器件的特性与电路行为结合起来，可以从外部改变电路的工作条件，并且可以在各种不同的测试条件下，直接简便地测出阈值电压和饱和漏电流的退化情况。
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公开(公告)号：CN103323763B
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201310253482.7
申请日：2013-06-24
Applicant: 北京大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及集成电路技术领域，特别涉及一种测量阈值电压和饱和漏电流退化电路。该电路包括：PMOS晶体管、NMOS晶体管、负载电容、电压比较器、第一数级反相器链和第二数级反相器链，上述部件组成一个三角波产生电路。本发明提供的测量阈值电压和饱和漏电流退化电路，采用将三角波产生电路与MOS晶体管的阈值电压及饱和漏电流的退化测试结合起来，将器件的特性与电路行为结合起来，可以从外部改变电路的工作条件，并且可以在各种不同的测试条件下，直接简便地测出阈值电压和饱和漏电流的退化情况。
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