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公开(公告)号：CN114361156A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202111402639.9
申请日：2021-11-19
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京大学 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网浙江省电力有限公司 , 国家电网有限公司
IPC: H01L27/02
Abstract: 本申请公开了一种DTSCR器件和电子设备。DTSCR器件包括依次层叠设置的基板、埋氧化层和P型衬底，在P型衬底上沿第一方向依次设置有预设P+掺杂区、预设N+掺杂区和多个N阱区，多个N阱区在第一方向上依次连接，预设N+掺杂区在第一方向的部分区域构成预设N阱区，预设N阱区在第二方向上相对预设N+掺杂区部分设置，预设N阱区的总体积与N阱区的数量相关联，其中，预设P+掺杂区和预设N+掺杂区均为源区。本申请通过在本征SCR的N+掺杂区引入N阱区，实现本征SCR的预设P+掺杂区的电阻的增加，进而降低本征SCR开启所需要的ESD电流，达到削弱寄生SCR电流泄放作用降低本征SCR的开启延迟，从而彻底抑制DTSCR的二次触发。
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公开(公告)号：CN116124183B
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310418208.4
申请日：2023-04-19
Applicant: 北京大学
Abstract: 本申请涉及集成电路设计领域，提供一种电容读出电路及电容读出方法。所述电路包括：电容采样电路的输出端与跨导放大器的输入端相连接；跨导放大器的输出端与流控振荡器的输入端相连接；流控振荡器的输出端与双鉴频鉴相器的输入端相连接；双鉴频鉴相器的输出端与三态逻辑器的输入端相连接；三态逻辑器的输出端与数模转换器的输入端相连接；数模转换器的输出端与跨导放大器的输入端相连接。本申请实施例提供的电容读出电路可以实现一次采样多次转换，在保证电容读出电路的读出精度的同时，减少了数字化转换的时间，进而提高了电容读出电路的读出能效，降低了读出延迟。
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公开(公告)号：CN114649803B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202210160874.8
申请日：2022-02-22
Applicant: 北京大学
IPC: H02H9/04
Abstract: 本发明提供一种电源钳位静电放电保护电路，电源钳位静电放电保护电路包括电源端、接地端、静电放电探测电路和泄放电路，其中，电源端分别与静电放电探测电路和泄放电路连接，用于提供电源电压；接地端分别与静电放电探测电路和泄放电路连接，用于提供供地电平；静电放电探测电路与泄放电路连接，用于探测输入至静电放电探测电路的脉冲是否为静电放电脉冲，并将检测到静电放电脉冲的探测信号发送至泄放电路，其中，静电放电探测电路包括瞬态探测电路和静态探测电路；泄放电路用于在接收到探测信号时泄放静电电流。通过本发明提供得电源钳位静电放电保护电路，可以防止静电电荷泄放的误触发情况发生。
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公开(公告)号：CN114725087A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210152254.X
申请日：2022-02-18
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种ESD保护电路，属于集成电路芯片静电放电保护设计技术领域，包括：瞬态探测电路，其包括：第一PMOS管，与第一PMOS管连接的第一和第二NMOS管，与第一PMOS管栅极连接的第一分压元件，与第一分压元件串联的第一电容，与第一NMOS管源极连接的第二电容，与第二电容连接的电流镜电路；静态检测电路，用于根据ESD电压与触发电压间的关系决定是否导通；泄放电路，用于使得ESD电流泄放。用以解决采用现有技术中的ESD保护电路因容易出现闩锁、误触发现象，或者对ESD事件反应慢而造成的芯片内部电路不安全的缺陷，实现瞬态探测和静态检测的结合，有效避免出现闩锁、误触发现象，并保证了对ESD事件的反应速度足够快，进而保证了芯片内部电路的安全。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114649803A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202210160874.8
申请日：2022-02-22
Applicant: 北京大学
IPC: H02H9/04
Abstract: 本发明提供一种电源钳位静电放电保护电路，电源钳位静电放电保护电路包括电源端、接地端、静电放电探测电路和泄放电路，其中，电源端分别与静电放电探测电路和泄放电路连接，用于提供电源电压；接地端分别与静电放电探测电路和泄放电路连接，用于提供供地电平；静电放电探测电路与泄放电路连接，用于探测输入至静电放电探测电路的脉冲是否为静电放电脉冲，并将检测到静电放电脉冲的探测信号发送至泄放电路，其中，静电放电探测电路包括瞬态探测电路和静态探测电路；泄放电路用于在接收到探测信号时泄放静电电流。通过本发明提供得电源钳位静电放电保护电路，可以防止静电电荷泄放的误触发情况发生。
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公开(公告)号：CN114464614A
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202210015941.7
申请日：2022-01-07
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京大学 , 国网浙江省电力有限公司 , 国家电网有限公司
Abstract: 本申请提供一种可控硅整流器(Silicon Controlled Rectifier，SCR)器件和芯片。SCR器件包括高压P阱区和高压N阱区。高压P阱区依次设置有第一N+掺杂区和第一P+掺杂区。高压N阱区依次设置有第二N+掺杂区和第二P+掺杂区，第二N+掺杂区与第一P+掺杂区之间的距离小于预设距离，预设距离为位于高压N阱区和高压P阱区共同形成的区域的最外侧的两个掺杂区之间的距离。本申请的SCR器件和芯片中，将高压P阱区中的第一P+掺杂区与高压N阱区中的第二N+掺杂区之间的距离设置为小于预设距离，当SCR器件被ESD激励并导通时，SCR器件能够分段导通，提高SCR器件的维持电压，实现了维持电压的大幅度提升。
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公开(公告)号：CN114446946A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202210016566.8
申请日：2022-01-07
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京大学 , 国网浙江省电力有限公司 , 国家电网有限公司
Abstract: 本申请提供一种可控硅整流器(Silicon Controlled Rectifier，SCR)器件，SCR器件包括高压P阱区和高压N阱区。所述高压P阱区依次设置有第一P+掺杂区和第一N+掺杂区。所述高压N阱区依次设置有第二P+掺杂区和第二N+掺杂区，所述第一N+掺杂区的下方设置有预设常压P阱区和/或所述第二P+掺杂区的下方设置有预设常压N阱区。本申请的SCR器件和芯片中，在高压P阱区中的第一N+掺杂区的下方构成预设常压P阱区和/或在高压N阱区中的第二P+掺杂区的下方构成预设常压N阱区，提高了SCR器件发射极注入载流子的复合效率，抑制SCR器件在导通过程中的再生反馈作用，提高维持电流，避免SCR器件在静电防护冲击下出现闩锁现象。
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公开(公告)号：CN118473403A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410477041.3
申请日：2024-04-19
Applicant: 北京大学
Abstract: 本申请涉及模数转换技术领域，提供一种模数转换电路、方法、芯片及设备。所述电路包括：采样电容、浮动反相放大器、第一存储电容、GM‑RC积分器、压控振荡积分器、双鉴频鉴相器、三态逻辑器和数模转换器；采样电容的第一端与浮动反相放大器的输入端相连接；浮动反相放大器、第一存储电容、GM‑RC积分器、压控振荡积分器、双鉴频鉴相器、三态逻辑器和数模转换器依次首尾相连形成回路。本申请提供的模数转换电路、方法、芯片及设备可以通过在模数转换电路中使用二阶积分器，并通过存储电容对采样热噪声进行消除，提高模数转换的精度。
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公开(公告)号：CN116124183A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202310418208.4
申请日：2023-04-19
Applicant: 北京大学
Abstract: 本申请涉及集成电路设计领域，提供一种电容读出电路及电容读出方法。所述电路包括：电容采样电路的输出端与跨导放大器的输入端相连接；跨导放大器的输出端与流控振荡器的输入端相连接；流控振荡器的输出端与双鉴频鉴相器的输入端相连接；双鉴频鉴相器的输出端与三态逻辑器的输入端相连接；三态逻辑器的输出端与数模转换器的输入端相连接；数模转换器的输出端与跨导放大器的输入端相连接。本申请实施例提供的电容读出电路可以实现一次采样多次转换，在保证电容读出电路的读出精度的同时，减少了数字化转换的时间，进而提高了电容读出电路的读出能效，降低了读出延迟。
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