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公开(公告)号：CN111697092B
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202010498778.5
申请日：2020-06-04
Applicant: 北京大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/117 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种具有非穿透沟槽的窄边缘电流型硅PIN辐射探测器及其制备方法。在I区半导体硅片的正面和背面通过离子注入工艺形成P+区和N+区，在I区半导体硅片上刻蚀形成宽度足够大的非穿透沟槽，并在沟槽表面扩散掺杂形成N+区。本发明在常规PIN结构探测器的基础上设计了非穿透沟槽结构，不仅避免了全穿透沟槽结构对支撑硅片的依赖性，简化了工艺；而且达到探测器窄边缘的目的，减小探测器的死区和所需的划片面积，同时降低了缺陷的产生，提高了探测器的收集效率。另外，非穿透沟槽表面的N+区形成低阻层，使得探测器可在高压下工作。本发明的电流型硅PIN辐射探测器可用于对收集效率和高压工作环境有需求的核辐射探测、航空航天等领域。
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公开(公告)号：CN111697092A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN202010498778.5
申请日：2020-06-04
Applicant: 北京大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/117 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种具有非穿透沟槽的窄边缘电流型硅PIN辐射探测器及其制备方法。在I区半导体硅片的正面和背面通过离子注入工艺形成P+区和N+区，在I区半导体硅片上刻蚀形成宽度足够大的非穿透沟槽，并在沟槽表面扩散掺杂形成N+区。本发明在常规PIN结构探测器的基础上设计了非穿透沟槽结构，不仅避免了全穿透沟槽结构对支撑硅片的依赖性，简化了工艺；而且达到探测器窄边缘的目的，减小探测器的死区和所需的划片面积，同时降低了缺陷的产生，提高了探测器的收集效率。另外，非穿透沟槽表面的N+区形成低阻层，使得探测器可在高压下工作。本发明的电流型硅PIN辐射探测器可用于对收集效率和高压工作环境有需求的核辐射探测、航空航天等领域。
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公开(公告)号：CN109686812A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201910004641.7
申请日：2019-01-03
Applicant: 北京大学
IPC: H01L31/117 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种基于隧穿氧化层的键合硅PIN辐射响应探测器及其制备方法。该探测器包括键合在一起的探测层硅片和收集层硅片，以及二者之间的超薄二氧化硅层，其中：所述探测层硅片的正面有掺杂形成的P+区，所述P+区之外的硅表面覆盖有二氧化硅层，所述P+区上面覆盖有薄金属层，该薄金属层边缘具有场板结构；所述收集层硅片的背面全部为掺杂形成的N+区；所述N+区表面覆盖有厚金属层。本发明的辐射响应探测器可用于核辐射领域的超快响应测量，在辐射防护、空间监测等领域有着重要应用。
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公开(公告)号：CN109686812B
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201910004641.7
申请日：2019-01-03
Applicant: 北京大学
IPC: H01L31/117 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种基于隧穿氧化层的键合硅PIN辐射响应探测器及其制备方法。该探测器包括键合在一起的探测层硅片和收集层硅片，以及二者之间的超薄二氧化硅层，其中：所述探测层硅片的正面有掺杂形成的P+区，所述P+区之外的硅表面覆盖有二氧化硅层，所述P+区上面覆盖有薄金属层，该薄金属层边缘具有场板结构；所述收集层硅片的背面全部为掺杂形成的N+区；所述N+区表面覆盖有厚金属层。本发明的辐射响应探测器可用于核辐射领域的超快响应测量，在辐射防护、空间监测等领域有着重要应用。
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