公开(公告)号：CN102201450B

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：CN201110144333.8

申请日：2011-05-31

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  邱颖鑫 ,  詹瞻 ,  黄芊芊 ,  毛翔

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公布了一种隧穿场效应晶体管及其制备方法。所述晶体管包括：半导体衬底；第一沟道区和第二沟道区；第一栅叠层区；第二栅叠层区；第一源区；漏区；第二源区；第一栅叠层区中的第一导电层和第二栅叠层区中的第二导电层在沟道区外相连接，构成叉指栅；第三绝缘层；在第三绝缘层中形成第一源区和第二源区上的电极，漏区上的漏电极D和叉指栅上的栅电极G；源电极S。本发明提出的隧穿场效应器件的工作电流在亚阈区时是隧穿电流，在线性区时为MOS场效应管的电流，驱动电流得到很大的提高。同时，制造工艺与传统工艺兼容；由于采用叉指结构实现，同时第一源区起到了衬底引出的作用，节约了面积。

公开(公告)号：CN102201450A

公开(公告)日：2011-09-28

申请号：CN201110144333.8

申请日：2011-05-31

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  邱颖鑫 ,  詹瞻 ,  黄芊芊 ,  毛翔

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公布了一种隧穿场效应晶体管及其制备方法。所述晶体管包括：半导体衬底；第一沟道区和第二沟道区；第一栅叠层区；第二栅叠层区；第一源区；漏区；第二源区；第一栅叠层区中的第一导电层和第二栅叠层区中的第二导电层在沟道区外相连接，构成叉指栅；第三绝缘层；在第三绝缘层中形成第一源区和第二源区上的电极，漏区上的漏电极D和叉指栅上的栅电极G；源电极S。本发明提出的隧穿场效应器件的工作电流在亚阈区时是隧穿电流，在线性区时为MOS场效应管的电流，驱动电流得到很大的提高。同时，制造工艺与传统工艺兼容；由于采用叉指结构实现，同时第一源区起到了衬底引出的作用，节约了面积。