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公开(公告)号：CN111275177B
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202010045509.3
申请日：2020-01-16
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种全忆阻器神经网络及其制备方法和应用。所述的全忆阻器神经网络通过底电极、第一功能层和中间电极形成忆阻突触器件，之后再覆盖第二功能层，在第二功能层上覆盖顶电极形成忆阻神经元器件，从而构建成全忆阻器神经网络。通过改变突触器件的权重，全忆阻器神经网络可以实现模式识别和监督学习等功能。所发明的全忆阻器神经网络具有高的集成度和可微缩性，并且与传统硅基CMOS工艺兼容，适合大规模生产，对于未来最终实现大规模类脑计算硬件具有重要的意义。
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公开(公告)号：CN111244270B
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202010056848.1
申请日：2020-01-16
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种模拟生物神经元功能的电子器件及方法。所述神经元器件通过底电极、阻变层和顶电极形成MIM纳米堆垛结构，阻变层采用莫特相变型化合物，使该器件具有易失性电学特性。将外接电阻与该器件串联，电容与器件并联，形成神经元电路实现对LIF神经元功能的模拟。通过控制输入端施加的电学信号的电压幅值、频率以及电路中电阻、电容的参数，可以实现神经元有无动作电位产生、阈值驱动产生动作电位、输入强度调节频率响应等功能；同时，在多个输入作用下可以实现时空整合以及增益调制等功能。本发明的神经元器件具有高的集成度和可微缩性，可以实现多种生物神经元功能，对于未来最终实现大规模类脑计算硬件具有重要的意义。
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公开(公告)号：CN111275177A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN202010045509.3
申请日：2020-01-16
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种全忆阻器神经网络及其制备方法和应用。所述的全忆阻器神经网络通过底电极、第一功能层和中间电极形成忆阻突触器件，之后再覆盖第二功能层，在第二功能层上覆盖顶电极形成忆阻神经元器件，从而构建成全忆阻器神经网络。通过改变突触器件的权重，全忆阻器神经网络可以实现模式识别和监督学习等功能。所发明的全忆阻器神经网络具有高的集成度和可微缩性，并且与传统硅基CMOS工艺兼容，适合大规模生产，对于未来最终实现大规模类脑计算硬件具有重要的意义。
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公开(公告)号：CN111244270A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN202010056848.1
申请日：2020-01-16
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种模拟生物神经元功能的电子器件及方法。所述神经元器件通过底电极、阻变层和顶电极形成MIM纳米堆垛结构，阻变层采用莫特相变型化合物，使该器件具有易失性电学特性。将外接电阻与该器件串联，电容与器件并联，形成神经元电路实现对LIF神经元功能的模拟。通过控制输入端施加的电学信号的电压幅值、频率以及电路中电阻、电容的参数，可以实现神经元有无动作电位产生、阈值驱动产生动作电位、输入强度调节频率响应等功能；同时，在多个输入作用下可以实现时空整合以及增益调制等功能。本发明的神经元器件具有高的集成度和可微缩性，可以实现多种生物神经元功能，对于未来最终实现大规模类脑计算硬件具有重要的意义。
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