-
公开(公告)号：CN107154338A
公开(公告)日：2017-09-12
申请号：CN201610117878.2
申请日：2016-03-03
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/02 , H01L21/335
CPC classification number: H01L29/66431 , H01L21/02271
Abstract: 本发明公开了一种提高氮化镓基电子器件表面钝化效果、降低电流崩塌的表面处理技术及实现方法，所述方法主要应用于在氮化镓基电子器件制备中，在常规钝化层淀积之前，利用臭氧、氧等离子体等强氧化剂对氮化镓表面进行氧化，然后再用盐酸去除薄层氧化物，重复该过程若干周期在表面钝化之前达到彻底移除表面缺陷，得到一个相对完美的表面，提高表面钝化效果，降低由于表面陷阱效应引起的电流崩塌。
Search Results
1
records
(took 0.016 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
