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公开(公告)号：CN119437415A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411557557.5
申请日：2024-11-04
Applicant: 北京大学
IPC: G01J1/42 , H10N50/85 , H10N50/10 , G01R33/032
Abstract: 本发明公开了一种基于CrSBr隧穿结构实现多参数光电探测的方法。该方法利用二维反铁磁半导体CrSBr中的自旋‑电子耦合效应，通过对隧穿结构施加不同光子能量和偏振度的光照可以得到稳定且具有极高线二向色性的光电流响应，并被磁场有效调控，实现多参数光电探测。本发明为研究新一代自旋‑电子‑光电子器件和灵敏的多场传感器提供了重要的材料平台和研究基础。
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