公开(公告)号：CN118639317A

公开(公告)日：2024-09-13

申请号：CN202410723692.6

申请日：2024-06-05

Applicant: 北京大学

Inventor： 于彤军 ,  陈加昊 ,  吴洁君 ,  杨浩 ,  陈加旻 ,  王泽人 ,  杨楚昊 ,  刘云琪 ,  魏海龙 ,  都毓恒 ,  王新强 ,  沈波

IPC: C30B23/00 ,  C30B29/40

Abstract: 本发明公开一种用于大尺寸AlN单晶生长的PVT装置，属于AlN晶体生长技术领域。本发明采用温梯调控结构，利用热流阻隔部件和热流疏导部件互相配合，能够大幅减小坩埚内部尤其是籽晶和生长的晶体上的径向温梯，减少晶体生长和降温过程中的应力，同时，采用凹坑结构的烧结粉体，增加了粉体的表面积，提高粉块升华的效率和到达籽晶表面的气体源的均匀性，此外，本发明采用的AlN同质材料制成的籽晶托，能够大幅度减少生长后的降温过程中晶体与籽晶托之间由于热膨胀系数的差异所引入的应力。

公开(公告)号：CN118405940A

公开(公告)日：2024-07-30

申请号：CN202410497656.2

申请日：2024-04-24

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴洁君 ,  杨浩 ,  于彤军 ,  陈加昊 ,  王泽人 ,  张皇澍 ,  刘云琪 ,  都毓恒 ,  魏海龙 ,  杨楚昊 ,  王新强 ,  沈波

IPC: C04B41/87 ,  C30B23/00 ,  C30B29/40

Abstract: 本发明公开一种用于大尺寸AlN晶体生长的TaC/C复合坩埚的制备方法。该制备方法首先采用机械加工或压力成型等技术制备内衬为Ta箔的Ta箔/石墨坩埚复合体，并使石墨与Ta箔界面形成紧密配合，然后将紧密配合的Ta箔/石墨坩埚复合体施加一定压力，升到一定温度，保温一定的时间，使界面两边固体原子互相扩散，得到TaC/C复合坩埚。采用本发明可以提高TaC/C复合坩埚的使用性能，极大降低其制备成本。