公开(公告)号：CN102237369B

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：CN201010151362.2

申请日：2010-04-20

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  郭岳 ,  安霞 ,  杜菲 ,  张兴

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76254

Abstract: 本发明提供一种半导体锗基衬底材料及其制备方法，属于超大规模集成电路制造技术领域。本发明在半导体基片上形成一多孔层，在多孔层上设置半导体锗片，形成多孔层上半导体锗基衬底材料。本发明利用多孔层的低介电常数，在多孔层上形成半导体锗基衬底材料，可有效减小漏端通过埋层对沟道电势的耦合作用，从而有效抑制DIBL效应，并可降低源漏和衬底的寄生电容，改善器件速度特性。同时，本发明提供了这种半导体锗基衬底材料的制备方法，巧妙利用智能剥离技术在多孔绝缘层上制备超薄的半导体锗材料。这样既解决了运用BESOI技术时减薄的困难，同时又兼顾了SIMOX技术和键合技术的优点。

公开(公告)号：CN102237369A

公开(公告)日：2011-11-09

申请号：CN201010151362.2

申请日：2010-04-20

Applicant: 北京大学

Inventor： 郭岳 ,  安霞 ,  杜菲 ,  黄如 ,  张兴

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76254

Abstract: 本发明提供一种半导体锗基衬底材料及其制备方法，属于超大规模集成电路制造技术领域。本发明在半导体基片上形成一多孔层，在多孔层上设置半导体锗片，形成多孔层上半导体锗基衬底材料。本发明利用多孔层的低介电常数，在多孔层上形成半导体锗基衬底材料，可有效减小漏端通过埋层对沟道电势的耦合作用，从而有效抑制DIBL效应，并可降低源漏和衬底的寄生电容，改善器件速度特性。同时，本发明提供了这种半导体锗基衬底材料的制备方法，巧妙利用智能剥离技术在多孔绝缘层上制备超薄的半导体锗材料。这样既解决了运用BESOI技术时减薄的困难，同时又兼顾了SIMOX技术和键合技术的优点。