公开(公告)号：CN119290825B

公开(公告)日：2025-04-04

申请号：CN202411833261.1

申请日：2024-12-13

Applicant: 北京大学

Inventor： 唐宁 ,  李国平 ,  沈波 ,  付雷 ,  陈帅宇 ,  张迩翡

IPC: G01N21/63

Abstract: 本发明公开了一种半导体材料中施主束缚激子双电子跃迁速率的测量方法，属于半导体材料的测量表征领域。该测量方法包括：1、由稳态光致发光光谱测量各温度下半导体材料中施主束缚激子峰的峰强#imgabs0#和对应双电子跃迁峰的峰强#imgabs1#；2、由时间分辨光致发光光谱测量各温度下施主束缚激子峰的寿命#imgabs2#；3、由#imgabs3#推得施主束缚激子峰的量子效率#imgabs4#，结合#imgabs5#推得施主束缚激子的辐射复合寿命#imgabs6#；4、由双电子跃迁峰和施主束缚激子峰的相对强度除以施主束缚激子辐射复合寿命,得各温度下施主束缚激子的双电子跃迁速率#imgabs7#。本发明解决了双电子跃迁速率难以测量的问题，能够快速准确获得双电子跃迁速率随温度的变化规律，对研究施主束缚激子及其双电子跃迁物理性质具有重要价值。

公开(公告)号：CN119290825A

公开(公告)日：2025-01-10

申请号：CN202411833261.1

申请日：2024-12-13

Applicant: 北京大学

Inventor： 唐宁 ,  李国平 ,  沈波 ,  付雷 ,  陈帅宇 ,  张迩翡

IPC: G01N21/63

Abstract: 本发明公开了一种半导体材料中施主束缚激子双电子跃迁速率的测量方法，属于半导体材料的测量表征领域。该测量方法包括：1、由稳态光致发光光谱测量各温度下半导体材料中施主束缚激子峰的峰强#imgabs0#和对应双电子跃迁峰的峰强#imgabs1#；2、由时间分辨光致发光光谱测量各温度下施主束缚激子峰的寿命#imgabs2#；3、由#imgabs3#推得施主束缚激子峰的量子效率#imgabs4#，结合#imgabs5#推得施主束缚激子的辐射复合寿命#imgabs6#；4、由双电子跃迁峰和施主束缚激子峰的相对强度除以施主束缚激子辐射复合寿命,得各温度下施主束缚激子的双电子跃迁速率#imgabs7#。本发明解决了双电子跃迁速率难以测量的问题，能够快速准确获得双电子跃迁速率随温度的变化规律，对研究施主束缚激子及其双电子跃迁物理性质具有重要价值。