公开(公告)号：CN119653812A

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202411756036.2

申请日：2024-12-02

Applicant: 北京大学

Inventor： 魏进 ,  杨俊杰 ,  常昊

IPC: H10D30/47 ,  H10D62/10

Abstract: 本申请涉及半导体领域，公开了一种宽禁带半导体元胞结构及半导体器件，其中，宽禁带半导体元胞结构包括：衬底、外延层和空穴注入层；外延层包括沿第一方向层叠设置的异质结结构、空穴收集层和空穴阻挡层；空穴注入层层叠设置于外延层；源极设置于异质结结构背向衬底的一侧，衬底浮空设置；漏极设置于异质结结构背向衬底的一侧。用以解决现有技术元胞结构击穿电压低，且元胞结构的稳定性差的问题，通过衬底浮空设置，使得漏极和源极之间泄漏电流路径在元胞结构内被延长，从而降低半导体器件的击穿电压；并通过空穴注入层、空穴收集层、空穴阻挡层共同作用，使空穴积累在空穴收集层中，并屏蔽积累的负电荷，抑制衬底效应，提高元胞结构的稳定性。

公开(公告)号：CN119486218A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202410173780.3

申请日：2024-02-07

Applicant: 北京大学

Inventor： 魏进 ,  杨俊杰 ,  常昊

IPC: H10D62/10 ,  H10D30/47 ,  H10D84/82 ,  H10D86/00

Abstract: 本发明公开了一种高稳定性的GaN双向器件，包括衬底和在衬底上依次层叠的过渡层、缓冲层、背势垒层、沟道层和势垒层，第一和第二栅极分别制备在第一和第二空穴注入层上，第一和第二空穴注入层位于势垒层上；第一和第二源极采用欧姆接触制备在势垒层上，位于第一和第二空穴注入层的两侧；第一源极、第一空穴注入层、第二空穴注入层、第二源极彼此之间由钝化层隔离；从能带角度看，所述背势垒层的价带顶要低于沟道层的价带顶，从而阻挡空穴注入到衬底中。该器件具有双向导通、双向耐压的功能，能有效抑制表面陷阱和衬底效应带来的电流崩塌效应，使器件具有高动态稳定性、低动态导通电阻；衬底可以与任一源级相连，也可以电学浮空以提高器件击穿电压。