公开(公告)号：CN115985955A

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN202310124964.6

申请日：2023-02-06

Applicant: 北京大学

Inventor： 魏进 ,  尹悠毅 ,  杨俊杰

IPC: H01L29/423 ,  H03K17/567 ,  H03K17/04 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L27/07

Abstract: 本发明公开了一种低关断损耗的IGBT开关器件，包括一个在集电极附近设有辅助栅的IGBT器件和一个内置偏置电路，所述IGBT器件的栅极和驱动电压A相连；所述内置偏置电路由x+1个n型MOSFET构成，其中一个MOSFET的漏极和IGBT器件的辅助栅极相连，源极和驱动电压B相连；而其余的x个MOSFET各自栅漏短接，再首尾相接串联起来，形成串行结构，该串行结构一端的漏极和IGBT器件的辅助栅极相连，另一端的源极和IGBT器件的集电极相连；这x个串联的MOSFET的阈值电压之和大于驱动电压B。该带内置偏置电路的IGBT开关器件，能够有效降低关断损耗，提高开关速度，且导通电压不会增大。同时，IGBT器件和内置偏置电路采用同种工艺制造，易于集成，工艺简单，驱动方式简单。