公开(公告)号：CN109916501B

公开(公告)日：2020-05-05

申请号：CN201910044032.4

申请日：2019-01-17

Applicant: 北京大学

Inventor： 李哲 ,  常文涵 ,  孙守乐 ,  高成臣 ,  郝一龙

IPC: G01H11/06

Abstract: 本发明公开了一种声场增强微结构的MEMS热式声粒子振速传感器及方法。本发明采用片上集成的声场自增强通孔，在利用MEMS工艺加工加热测温横梁时同时完成声场自增强通孔的加工，无需使用宏观机械加工手段设计声场增强的封装结构，封装尺寸大幅缩小，拓宽了该传感器的应用范围；由于加热测温横梁与声场自增强通孔均由MEMS工艺统一加工，MEMS工艺具有极高的加工精度，因此该方法避免了传统传感器装配过程中，利用MEMS工艺制备的芯片与利用机械加工手段制备的封装结构之间的装配误差问题；由于本发明制造的传感器具有较小的尺寸，对待测声场的反射与散射很小，不会造成待测声场的畸变，实现单点精确测量。

公开(公告)号：CN109916501A

公开(公告)日：2019-06-21

申请号：CN201910044032.4

申请日：2019-01-17

Applicant: 北京大学

Inventor： 李哲 ,  常文涵 ,  孙守乐 ,  高成臣 ,  郝一龙

IPC: G01H11/06

Abstract: 本发明公开了一种声场增强微结构的MEMS热式声粒子振速传感器及方法。本发明采用片上集成的声场自增强通孔，在利用MEMS工艺加工加热测温横梁时同时完成声场自增强通孔的加工，无需使用宏观机械加工手段设计声场增强的封装结构，封装尺寸大幅缩小，拓宽了该传感器的应用范围；由于加热测温横梁与声场自增强通孔均由MEMS工艺统一加工，MEMS工艺具有极高的加工精度，因此该方法避免了传统传感器装配过程中，利用MEMS工艺制备的芯片与利用机械加工手段制备的封装结构之间的装配误差问题；由于本发明制造的传感器具有较小的尺寸，对待测声场的反射与散射很小，不会造成待测声场的畸变，实现单点精确测量。