公开(公告)号：CN106350783B

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201610799873.2

申请日：2016-08-31

Applicant: 北京大学

Inventor： 许福军 ,  沈波 ,  张立胜 ,  王明星 ,  国唯唯 ,  解楠 ,  孙元浩 ,  秦志新

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/34 ,  C23C16/52 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 一种基于MOCVD侧向外延制备低位错密度AlGaN薄膜的方法及AlGaN薄膜。本发明涉及一种基于MOCVD侧向外延制备低位错密度AlGaN薄膜的方法，所述方法包括：制备凹面图形化蓝宝石衬底；在所述衬底上沉积AlN成核层；在所述AlN成核层上，采用MOCVD法外延生长厚度为0.1μm～1μm的AlN层；在所述AlN层上采用MOCVD法外延生长AlGaN层，即得。本发明提供的方法基于图形化衬底实现有效的AlGaN侧向外延过程，充分利用倾斜面的镜像力作用降低AlGaN中的位错密度的同时，利用孔洞效应有效减少AlGaN中的应力，从而实现高质量AlGaN外延薄膜的制备，该方法对解决高Al组分AlGaN中高位错密度的控制难题提供了新的思路。

公开(公告)号：CN106350783A

公开(公告)日：2017-01-25

申请号：CN201610799873.2

申请日：2016-08-31

Applicant: 北京大学

Inventor： 许福军 ,  沈波 ,  张立胜 ,  王明星 ,  国唯唯 ,  解楠 ,  孙元浩 ,  秦志新

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/34 ,  C23C16/52 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  C23C16/44 ,  C23C16/34 ,  C23C16/52 ,  H01L31/03048 ,  H01L31/18

Abstract: 一种基于MOCVD侧向外延制备低位错密度AlGaN薄膜的方法及AlGaN薄膜。本发明涉及一种基于MOCVD侧向外延制备低位错密度AlGaN薄膜的方法，所述方法包括：制备凹面图形化蓝宝石衬底；在所述衬底上沉积AlN成核层；在所述AlN成核层上，采用MOCVD法外延生长厚度为0.1μm～1μm的AlN层；在所述AlN层上采用MOCVD法外延生长AlGaN层，即得。本发明提供的方法基于图形化衬底实现有效的AlGaN侧向外延过程，充分利用倾斜面的镜像力作用降低AlGaN中的位错密度的同时，利用孔洞效应有效减少AlGaN中的应力，从而实现高质量AlGaN外延薄膜的制备，该方法对解决高Al组分AlGaN中高位错密度的控制难题提供了新的思路。