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公开(公告)号：CN117790557A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202310659873.2
申请日：2023-06-06
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/423 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种带有栅极终端延伸结构的GaN基HEMT器件及其制备方法，通过在器件栅极靠近漏极一侧引入栅极p‑GaN帽层终端延伸结构，优化器件关断状态下的栅极电场分布，从而提高了GaN基HEMT的击穿电压并且抑制了电流崩塌效应。借助仿真验证，引入栅极p‑GaN帽层终端延伸结构后，器件的关态电场分布得到了改善，关态电场的峰值下降了超过70％。
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公开(公告)号：CN117954476A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202211323490.X
申请日：2022-10-27
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/10 , H01L21/335 , H01L29/778 , H01L29/20
Abstract: 本发明公开了一种多沟道GaN基HEMT器件及其制备方法，该器件包括自下而上依次层叠的衬底层、过渡层、高阻层，在高阻层上的沟道区多个沟道层和势垒层依次交叠形成多个并列沟道，顶端沟道层和顶端势垒层则覆盖包括沟道区在内的整个器件表面；栅源区和漏区分别位于沟道区的两端，源极、栅极、漏极两两之间由钝化层隔开。本发明的多个并联沟道设计可以降低耐高压GaN基HEMT导通电阻，进而降低损耗。这种多沟道结构可以广泛适用于基于p‑GaN帽层或MIS结构的增强型HEMT器件以及传统的耗尽型HEMT器件，可以优化耐压与导通的折中关系，有利于近一步提高现有器件的优值。
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公开(公告)号：CN115472686B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202110726646.8
申请日：2021-06-29
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种低动态电阻增强型GaN器件，在传统的增强型HEMT增强型器件制备工艺中，通过选择性刻蚀p‑GaN外延层被引入一个额外的P型掺杂的GaN薄层(即p‑GaN薄层)。这种器件结构中p‑GaN薄层形成的表面陷阱屏蔽效应和空穴注入效应有效地抑制了器件中陷阱的电离，对电流崩塌效应具有极强的抑制作用，因此，改善了GaN器件的电阻退化情况，提高了器件的动态稳定性，优化了器件的导通特性。
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公开(公告)号：CN116682853A
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202210170106.0
申请日：2022-02-23
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/10
Abstract: 本申请提供一种氮化镓器件及其制造方法、半导体集成平台，在衬底上可以依次堆叠第一势垒层、沟道层和第二势垒层，第一势垒层、沟道层和第二势垒层的材料为Ⅲ‑Ⅴ族化合物，且第一势垒层和第二势垒层的带隙大于沟道层的带隙，由于极化效应使第一势垒层和沟道层之间形成空穴积累层，沟道层和第二势垒层之间形成的二维电子气作为器件的沟道，之后可以形成第二势垒层上的源极以及与源极电连接的连接结构，连接结构完全贯穿第二势垒层且至少部分贯穿沟道层，这样连接结构将源极和空穴积累层连接在一起，使空穴积累层的电位和源极电位一致，空穴积累层作为二维电子气和衬底之间的屏蔽层，抑制衬底效应对二维电子气的调制作用，提高器件性能。
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公开(公告)号：CN115472686A
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202110726646.8
申请日：2021-06-29
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开了一种低动态电阻增强型GaN器件，在传统的增强型HEMT增强型器件制备工艺中，通过选择性刻蚀p‑GaN外延层被引入一个额外的P型掺杂的GaN薄层(即p‑GaN薄层)。这种器件结构中p‑GaN薄层形成的表面陷阱屏蔽效应和空穴注入效应有效地抑制了器件中陷阱的电离，对电流崩塌效应具有极强的抑制作用，因此，改善了GaN器件的电阻退化情况，提高了器件的动态稳定性，优化了器件的导通特性。
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