公开(公告)号：CN116682858A

公开(公告)日：2023-09-01

申请号：CN202310777290.X

申请日：2023-06-28

Applicant: 北京大学

Inventor： 魏进 ,  刘思航

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种碳化硅沟槽栅MOSFET器件及其制备方法。所述器件由两种元胞结构交替排列构成，其中结构一为传统的栅极下方为P型屏蔽层的碳化硅沟槽栅MOSFET结构，而结构二利用选择性倾斜离子注入，在栅极沟槽侧下方形成连接栅极侧面的P型基区和栅极下方的P型屏蔽层的P型连接区，以实现P型屏蔽层的有效接地，使P型屏蔽层屏蔽效果更好。进一步的，在P型连接区内侧额外增加用于连接沟道的N型连接区，使源区的电子经过基区沟道后，可以通过N型连接区沿两种结构交替排列方向流动到JFET区，增加有效的沟道密度，降低了器件的导通电阻。

公开(公告)号：CN116110949A

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN202310147356.7

申请日：2023-02-14

Applicant: 北京大学

Inventor： 魏进 ,  刘思航 ,  杨俊杰

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种碳化硅功率MOSFET器件及其制备方法，利用自对准工艺和用一次或多次离子注入在沟槽栅两侧形成的深P型侧壁区，沟槽侧方充当沟道区，侧下方作为屏蔽层，使器件元胞结构更加紧凑，增加了沟道密度，降低了沟道电阻，并且缩小了P型屏蔽层到沟槽的距离，能够有效地屏蔽栅氧电场。

公开(公告)号：CN117497597A

公开(公告)日：2024-02-02

申请号：CN202311669619.7

申请日：2023-12-07

Applicant: 北京大学

Inventor： 魏进 ,  刘思航

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/08 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种碳化硅平面栅MOSFET器件及其制备方法。在传统平面栅MOSFET器件的JFET区结构上，首先通过刻蚀形成源极沟槽，利用刻蚀掩模，使用常规离子注入在沟槽下形成P型重掺杂区，再通过自对准工艺和倾斜离子注入形成P型基区和源区。相比于传统器件结构和工艺，本发明的平面栅MOSFET器件的P型重掺杂区、P型基区和源区的形成，只需要一次光刻，使用同一个注入掩模，即可完成所有的离子注入工艺，所需要考虑的光刻对准误差更小，次数更低，因此能够具有更窄的P型重掺杂区、P型基区和源区，以缩小器件的元胞宽度，增加器件的沟道密度，降低器件的沟道电阻，而不额外增加器件的JFET电阻。