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公开(公告)号：CN104568310A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201510023317.1
申请日：2015-01-19
Applicant: 北京大学
IPC: G01L27/00
Abstract: 本发明公开了一种超高温度时压力传感器的测试装置，包括一端封闭另一端开放的不锈钢管1，热电阻2，三通接头5，航空插头6组成的密封测试部分，用于提供高温压力传感器测试所需的密封环境；电炉7组成的加热部分，用于提供高温压力传感器测试所需的高温环境；真空泵9，氮气瓶10，气压控制器11组成的气压控制部分，用于提供压力传感器测试过程中所需要的不同的、稳定的气压；恒定电压/流源12，万用表13，万用表14，计算机15组成的电信号测量控制部分，用于提供测试数据的采集以及信号控制。本发明提供了一种高温压力传感器的测试装置，能够为高温压力传感器的测试提供高温(不低于600℃)、密封、可靠的测试环境。
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公开(公告)号：CN104538439A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201510023401.3
申请日：2015-01-19
Applicant: 北京大学
CPC classification number: H01L29/456 , H01L29/401
Abstract: 本发明公开了一种耐高温欧姆接触电极结构及其加工方法，该电极结构自上而下包括：金导电层6，铂粘附层5，氮化钛阻挡层4，钛粘附层3，二硅化钛2/硅欧姆接触。使用硅化物自对准技术制备二硅化钛/硅欧姆接触，该接触有良好的热稳定性，能够在500℃保持良好的欧姆特性；使用反应磁控溅射生长氮化钛层，能够在高温环境中有效阻挡各层金属之间的相互扩散。本发明提供一种耐高温欧姆接触电极结构及其加工方法，解决传统的硅基传感器的电极难以在高温环境中长期工作的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104535253B
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201510023320.3
申请日：2015-01-19
Applicant: 北京大学
IPC: G01L9/06
Abstract: 本发明本发明公开了一种高温压力传感器及其加工方法，该压力传感器包括硅由敏感膜片，底座，TO管壳。其中敏感膜片采用SOI单晶硅圆片作为基片，在器件层加工电阻及引线互连组成惠斯登电桥，在衬底层进行各向异性腐蚀形成所述对压力敏感的膜片结构；底座以玻璃片或单晶硅圆片为基片，与敏感膜片进行阳极键合或硅硅直接键合或硅硅介质键合；以所述TO型金属管壳为外壳实现芯片级封装。本发明用SOI圆片的埋氧层和淀积的二氧化硅/氮化硅钝化层将硅电阻包裹隔离，消除了高温时的漏电流；溅射生长二硅化钛/钛/氮化钛/铂/金多层耐高温欧姆接触电极结构；采用耐高温键合及TO封装工艺，提高传感器高温工作稳定性。解决传统的硅基传感器难以在高温环境中长期工作的问题。
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公开(公告)号：CN104568310B
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201510023317.1
申请日：2015-01-19
Applicant: 北京大学
IPC: G01L27/00
Abstract: 本发明本发明公开了一种超高温度时压力传感器的测试装置，包括一端封闭另一端开放的不锈钢管1，热电阻2，三通接头5，航空插头6组成的密封测试部分，用于提供高温压力传感器测试所需的密封环境；电炉7组成的加热部分，用于提供高温压力传感器测试所需的高温环境；真空泵9，氮气瓶10，气压控制器11组成的气压控制部分，用于提供压力传感器测试过程中所需要的不同的、稳定的气压；恒定电压/流源12，万用表13，万用表14，计算机15组成的电信号测量控制部分，用于提供测试数据的采集以及信号控制。本发明提供了一种高温压力传感器的测试装置，能够为高温压力传感器的测试提供高温(不低于600℃)、密封、可靠的测试环境。
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公开(公告)号：CN104649221A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201510023319.0
申请日：2015-01-19
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种复杂硅玻璃混合结构晶圆的加工方法。复杂硅玻璃混合结构圆片包括不同形状的硅、玻璃、以及由硅与玻璃混合组成复杂的多维结构。该加工方法包括：在硅圆片上制备硅槽结构；将玻璃圆片之键合；或将玻璃粉填充至硅槽结构当中；采用高温炉热处理；采用化学机械抛光将圆片表面抛光；对于更复杂多层结构，采用以上步骤制备其他圆片；采用静电键合工艺将多个圆片键合或与硅圆片、玻璃圆片叠加键合，实现多层复杂硅玻璃混合结构。该类结构具有机械性能优越、电隔离简单、真空腔体与间隙控制精确、复杂结构易实现、结构可随要求设计的特点；同时该方法与其他微电子工艺兼容，无需担心后续封装的高温、无法电绝缘问题。
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公开(公告)号：CN104535253A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201510023320.3
申请日：2015-01-19
Applicant: 北京大学
IPC: G01L9/06
Abstract: 本发明公开了一种高温压力传感器及其加工方法，该压力传感器包括硅由敏感膜片，底座，TO管壳。其中敏感膜片采用SOI单晶硅圆片作为基片，在器件层加工电阻及引线互连组成惠斯登电桥，在衬底层进行各向异性腐蚀形成所述对压力敏感的膜片结构；底座以玻璃片或单晶硅圆片为基片，与敏感膜片进行阳极键合或硅硅直接键合或硅硅介质键合；以所述TO型金属管壳为外壳实现芯片级封装。本发明用SOI圆片的埋氧层和淀积的二氧化硅/氮化硅钝化层将硅电阻包裹隔离，消除了高温时的漏电流；溅射生长二硅化钛/钛/氮化钛/铂/金多层耐高温欧姆接触电极结构；采用耐高温键合及TO封装工艺，提高传感器高温工作稳定性。解决传统的硅基传感器难以在高温环境中长期工作的问题。
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公开(公告)号：CN104502003A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201510023318.6
申请日：2015-01-19
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种微机械差分电容式压力计。该压力计的两个电容由4个电容极板组成：附于硅杯结构敏感膜片上的第一、第四极板与附于中间支撑层结构两表面的第二、第三极板。本压力计基于压力计结构中基本的硅杯结构，当压力作用于敏感膜片时，膜片变形，膜片通过中间支柱带动另一硅杯上膜片的移动，附于敏感膜片上的两极板也随之移动，改变了两个极板相对中间固定的极板之间的间距，从而使得上下两个电容的电容值发生变化，形成差动的信号输出。该压力计的制备工艺简单，可制备完全对称的差动结构，利用差动结构的优点，实现对压力的精确差动检测。
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