公开(公告)号：CN101872837B

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN200910082890.4

申请日：2009-04-22

Applicant: 北京大学

Inventor： 康晋锋 ,  高滨 ,  余诗孟 ,  刘力锋 ,  孙兵 ,  刘晓彦 ,  韩汝琦

IPC: H01L45/00 ,  G11C11/56

Abstract: 本发明涉及微电子半导体技术领域，公开了一种阻变层和具有该阻变层的阻变存储器及制备工艺。通过在阻变存储器的底电极上连续淀积三层金属薄膜形成合金层，然后形成阻变层的工艺方法，实现了对阻变层中细丝导电通道产生的有效控制，从而改善了阻变存储器的一致性。本发明能与传统的半导体生产工艺相兼容，工艺简单，生产成本低。

公开(公告)号：CN101872837A

公开(公告)日：2010-10-27

申请号：CN200910082890.4

申请日：2009-04-22

Applicant: 北京大学

Inventor： 康晋锋 ,  高滨 ,  余诗孟 ,  刘力锋 ,  孙兵 ,  刘晓彦 ,  韩汝琦

IPC: H01L45/00 ,  G11C11/56

Abstract: 本发明涉及微电子半导体技术领域，公开了一种阻变层和具有该阻变层的阻变存储器及制备工艺。通过在阻变存储器的底电极上连续淀积三层金属薄膜形成合金层，然后形成阻变层的工艺方法，实现了对阻变层中细丝导电通道产生的有效控制，从而改善了阻变存储器的一致性。本发明能与传统的半导体生产工艺相兼容，工艺简单，生产成本低。