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公开(公告)号：CN101894098B
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN200910084623.0
申请日：2009-05-18
Applicant: 北京大学 , 北大方正集团有限公司 , 北京北大方正技术研究院有限公司
IPC: G06F17/22
Abstract: 本发明公开了内嵌字体数据处理方法及装置，为了解决一个包含内嵌字体的文档进行访问操作时，访问速度较慢的问题，本发明公开的方法包括：获取各内嵌字体数据；为各内嵌字体数据分配对应编号，并建立编号和内嵌字体数据存储位置信息相对应的第一绑定关系，所述内嵌字体数据存储信息包括：内嵌字体数据偏移量和内嵌字体数据大小；根据各内嵌字体数据偏移量和内嵌字体数据大小得到各内嵌字体数据，将各内嵌字体数据以及第一绑定关系集中存储。利用索引结构可以根据内嵌字体数据编号直接得到内嵌字体数据存储信息，进而提高访问效率。
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公开(公告)号：CN117766998A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311873157.0
申请日：2023-12-29
Abstract: 本发明涉及一种基于碳纳米管的相控阵列，属于相控阵列技术领域，该相控阵列包括：在相控阵列的左右两侧对称且上下两侧对称的多个射频信号传输支路；设置在各个射频信号传输支路上的功率分配器；与功率分配器的输出端连接的功率放大器；与功率放大器的输出端连接的多级延迟电路；与多级延迟电路的输出端连接的天线。本申请提供的相控阵列，通过对各个功率放大器均采用碳纳米管CMOS器件，可以实现相控阵列工作在高频频段；可进行功率平衡分布，使得相控阵列的左右两侧对称且上下两侧对称度较高，相控阵列的左右两侧相对应的输出端口参数相同；可以实现各个天线通过不同的转向角来控制各个天线组成的天线阵列的输出信号的等效全向辐射功率。
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公开(公告)号：CN101996160B
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN200910090817.1
申请日：2009-08-10
Applicant: 北大方正集团有限公司 , 北京北大方正技术研究院有限公司 , 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种字体数据的处理方法及系统，属于字体技术领域。现有字体数据的数据量较大，使用字体数据的逻辑较复杂，速度较慢，效率较低。本发明所述方法及系统首先建立文字编码与字形索引之间直接的映射关系，记录在文字编码与字形索引映射表中，然后将字体数据中的冗余数据删除；使用字体时，通过查询文字编码与字形索引映射表，先获得文字的字形索引，再根据字形索引从字体数据中获取文字的字形描述数据。采用本发明所述的方法及系统对字体数据进行处理后，减少了字体数据的数据量并提高了字体数据的使用效率。本发明特别适用于文字信息与字体数据整合在一起的文档中，或者附加到文档阅读软件中。
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公开(公告)号：CN112420821B
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202011179036.2
申请日：2020-10-29
Applicant: 北京元芯碳基集成电路研究院 , 北京大学 , 北京华碳元芯电子科技有限责任公司
IPC: H01L29/423 , H01L21/28
Abstract: 本发明公开了一种基于碳基材料的Y型栅结构，包括一碳基材料沟道层的衬底，在其上具有由栅金属栅根和栅金属栅帽组成的一体化栅金属结构，所述栅金属结构与所述碳基材料沟道层之间具有一第一高K栅介质层，所述栅金属栅帽下部具有第一宽度，其上部具有大于或等于所述第一宽度的第二宽度，所述栅金属栅帽上部和下部之间形成有两个侧面，在所述侧面上分别包覆有第二高K栅介质层。同时还提出该Y型栅结构的制备方法，只须一次曝光即可形成自对准Y型栅结构，工艺简单，操作方便。本发明提出的基于碳基材料的Y型栅结构在降低栅电阻的同时，进一步降低寄生效应，可以提升碳基高速、高频器件性能。
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公开(公告)号：CN112420821A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202011179036.2
申请日：2020-10-29
Applicant: 北京元芯碳基集成电路研究院 , 北京大学 , 北京华碳元芯电子科技有限责任公司
IPC: H01L29/423 , H01L21/28
Abstract: 本发明公开了一种基于碳基材料的Y型栅结构，包括一碳基材料沟道层的衬底，在其上具有由栅金属栅根和栅金属栅帽组成的一体化栅金属结构，所述栅金属结构与所述碳基材料沟道层之间具有一第一高K栅介质层，所述栅金属栅帽下部具有第一宽度，其上部具有大于或等于所述第一宽度的第二宽度，所述栅金属栅帽上部和下部之间形成有两个侧面，在所述侧面上分别包覆有第二高K栅介质层。同时还提出该Y型栅结构的制备方法，只须一次曝光即可形成自对准Y型栅结构，工艺简单，操作方便。本发明提出的基于碳基材料的Y型栅结构在降低栅电阻的同时，进一步降低寄生效应，可以提升碳基高速、高频器件性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104424174B
公开(公告)日：2017-11-07
申请号：CN201310412839.1
申请日：2013-09-11
Applicant: 北京大学 , 北大方正集团有限公司 , 北京方正阿帕比技术有限公司 , 方正信息产业控股有限公司
IPC: G06F17/25
Abstract: 本发明提供了一种文档处理系统，包括：图元生成单元，用于在当前界面中，将处于指定区域内的一种或多种类型的背景元素生成为一个复合图元；设置单元，用于根据接收到的用户设置指令，设置与所述复合图元对应的排版区域，以及与所述排版区域对应的正文内容；文档生成单元，用于利用所有的所述复合图元、所述排版区域、所述正文内容及其之间的关联关系，生成对应的流式文档。本发明还提出了一种文档处理方法。通过本发明的技术方案，可以使流式文档中包含原本版式文档中才有的复杂背景元素，从而在流式显示时，展示出各种精美的版式效果。
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公开(公告)号：CN101996160A
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN200910090817.1
申请日：2009-08-10
Applicant: 北大方正集团有限公司 , 北京北大方正技术研究院有限公司 , 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种字体数据的处理方法及系统，属于字体技术领域。现有字体数据的数据量较大，使用字体数据的逻辑较复杂，速度较慢，效率较低。本发明所述方法及系统首先建立文字编码与字形索引之间直接的映射关系，记录在文字编码与字形索引映射表中，然后将字体数据中的冗余数据删除；使用字体时，通过查询文字编码与字形索引映射表，先获得文字的字形索引，再根据字形索引从字体数据中获取文字的字形描述数据。采用本发明所述的方法及系统对字体数据进行处理后，减少了字体数据的数据量并提高了字体数据的使用效率。本发明特别适用于文字信息与字体数据整合在一起的文档中，或者附加到文档阅读软件中。
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公开(公告)号：CN101894098A
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN200910084623.0
申请日：2009-05-18
Applicant: 北京大学 , 北大方正集团有限公司 , 北京北大方正技术研究院有限公司
IPC: G06F17/22
Abstract: 本发明公开了内嵌字体数据处理方法及装置，为了解决一个包含内嵌字体的文档进行访问操作时，访问速度较慢的问题，本发明公开的方法包括：获取各内嵌字体数据；为各内嵌字体数据分配对应编号，并建立编号和内嵌字体数据存储位置信息相对应的第一绑定关系，所述内嵌字体数据存储信息包括：内嵌字体数据偏移量和内嵌字体数据大小；根据各内嵌字体数据偏移量和内嵌字体数据大小得到各内嵌字体数据，将各内嵌字体数据以及第一绑定关系集中存储。利用索引结构可以根据内嵌字体数据编号直接得到内嵌字体数据存储信息，进而提高访问效率。
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公开(公告)号：CN104424174A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201310412839.1
申请日：2013-09-11
Applicant: 北京大学 , 北大方正集团有限公司 , 北京方正阿帕比技术有限公司 , 方正信息产业控股有限公司
IPC: G06F17/25
Abstract: 本发明提供了一种文档处理系统，包括：图元生成单元，用于在当前界面中，将处于指定区域内的一种或多种类型的背景元素生成为一个复合图元；设置单元，用于根据接收到的用户设置指令，设置与所述复合图元对应的排版区域，以及与所述排版区域对应的正文内容；文档生成单元，用于利用所有的所述复合图元、所述排版区域、所述正文内容及其之间的关联关系，生成对应的流式文档。本发明还提出了一种文档处理方法。通过本发明的技术方案，可以使流式文档中包含原本版式文档中才有的复杂背景元素，从而在流式显示时，展示出各种精美的版式效果。
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公开(公告)号：CN101692461A
公开(公告)日：2010-04-07
申请号：CN200910093547.X
申请日：2009-09-25
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/43 , H01L29/12 , H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/283 , H01L29/861 , H01L21/329 , C23C14/14
Abstract: 本发明公开了一种基于半导体纳米材料的纳电子器件及其制备方法。采用低功函数的金属钇作为接触电极材料，通过微加工技术使金属钇直接与一维半导体纳米材料的导带形成欧姆接触，由此可得到高性能的电子型场效应晶体管和其他以半导体纳米材料为基的纳电子器件，包括二极管、生物及化学传感器件等。本发明大大降低了n型器件和电路的加工成本，提高了器件的性能，对推动纳电子器件的实用化进程具有非常重要的意义，具有广泛的应用前景。
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