一种一阶线性自抗扰控制系统及其参数整定方法

    公开(公告)号:CN114326400B

    公开(公告)日:2022-11-29

    申请号:CN202111615899.4

    申请日:2021-12-27

    Abstract: 本发明提供一种一阶线性自抗扰控制系统及其参数整定方法,本发明的一阶线性自抗扰控制系统,相比于现有的一阶线性自抗扰控制系统,需要整定的参数由4个减少为2个,简化了参数整定过程,缩短了参数整定时间。本发明的一阶线性自抗扰控制系统的参数整定方法,分别针对一阶惯性系统、一阶惯性延迟系统以及无超调的高阶惯性系统提出了参数整定最优公式,采用本发明参数整定方法进行控制的控制效果与传统PI控制方法相比,对于无延迟对象,本发明的控制效果全方位优于传统PI控制方法,对于一阶惯性延迟系统以及无超调的高阶惯性系统,本发明的控制效果与传统PI控制方法基本相同。

    一种一阶线性自抗扰控制系统及其参数整定方法

    公开(公告)号:CN114326400A

    公开(公告)日:2022-04-12

    申请号:CN202111615899.4

    申请日:2021-12-27

    Abstract: 本发明提供一种一阶线性自抗扰控制系统及其参数整定方法,本发明的一阶线性自抗扰控制系统,相比于现有的一阶线性自抗扰控制系统,需要整定的参数由4个减少为2个,简化了参数整定过程,缩短了参数整定时间。本发明的一阶线性自抗扰控制系统的参数整定方法,分别针对一阶惯性系统、一阶惯性延迟系统以及无超调的高阶惯性系统提出了参数整定最优公式,采用本发明参数整定方法进行控制的控制效果与传统PI控制方法相比,对于无延迟对象,本发明的控制效果全方位优于传统PI控制方法,对于一阶惯性延迟系统以及无超调的高阶惯性系统,本发明的控制效果与传统PI控制方法基本相同。

    改进的一阶线性自抗扰控制系统及其参数整定方法

    公开(公告)号:CN113467340A

    公开(公告)日:2021-10-01

    申请号:CN202110895922.3

    申请日:2021-08-05

    Abstract: 本发明提供一种改进的一阶线性自抗扰控制系统及其参数整定方法,该控制系统对于欠阻尼二阶控制对象的控制效果远好于现有一阶线性自抗扰控制系统,接近二阶线性自抗扰控制系统,本发明的控制系统结构相较二阶线性自抗扰控制系统更简单,涉及需要整定的参数数量更少。本发明的参数整定方法具有明确的调试规律和物理意义,更能满足现场控制工程师的调试习惯,避免了通过经验整定公式带来的参数意义和调试过程不明确的问题。

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