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公开(公告)号：CN105892548B
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201410188122.8
申请日：2014-05-07
Applicant: 北京同方微电子有限公司
IPC: G05F1/567
Abstract: 一种具有温度补偿功能的基准电压产生电路，涉及参考电压源技术领域。本发明包括依次连接的正温度系数电压产生电路和类LDO电路。所述正温度系数电压产生电路由单级或多级单元电路组成，每级单元电路包括采用MOS管的偏置电流源P和两个NMOS管。各级单元电路顺序级联，每级单元电路中的NMOS管A的栅极与NMOS管B的栅极相连接后分别接至NMOS管A的漏极与偏置电流源P的漏极，NMOS管A的源极与NMOS管B的漏极相连接作为输出节点。偏置电流源P产生的电流经过该级NMOS管A与NMOS管B后由NMOS管B的源极连接至下一级单元电路中NMOS管A的源极和NMOS管B的漏极。所述类LDO电路包括运算放大器和输出单元。本发明在不显著增加面积的情况下，有效降低系统功耗，且具有温度补偿功能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104079266A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201310097650.8
申请日：2013-03-26
Applicant: 北京同方微电子有限公司
IPC: H03K3/02
Abstract: 一种用于晶振温度补偿的模拟高阶幂函数发生电路，涉及晶体温度特性补偿电路技术领域。本发明包括依次连接的温度传感器、幂函数电流产生电路、跨阻放大器与电压加法器。温度传感器通过将外部温度转换成对应的线性的电压函数送入幂函数电流产生电路的输入端，幂函数电流产生电路将信息转换为对应的高阶函数曲线并通过跨阻放大器转换为电压，再通过电压加法器与一阶函数、零阶校准函数相加成所需电压。所述幂函数电流产生电路包括i+j个带有射极负反馈的双极型类限幅差分对，其中i是大于等于4的整数，j为大于等于1的整数。本发明是一种适于集成、低噪声、面向宽中心温度偏移范围的高次幂函数产生电路，非常适于对高精度要求的晶体振荡器进行温度补偿。
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公开(公告)号：CN104079266B
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201310097650.8
申请日：2013-03-26
Applicant: 紫光国芯股份有限公司 , 唐山国芯晶源电子有限公司 , 北京同方微电子有限公司
IPC: H03K3/02
Abstract: 一种用于晶振温度补偿的模拟高阶幂函数发生电路，涉及晶体温度特性补偿电路技术领域。本发明包括依次连接的温度传感器、幂函数电流产生电路、跨阻放大器与电压加法器。温度传感器通过将外部温度转换成对应的线性的电压函数送入幂函数电流产生电路的输入端，幂函数电流产生电路将信息转换为对应的高阶函数曲线并通过跨阻放大器转换为电压，再通过电压加法器与一阶函数、零阶校准函数相加成所需电压。所述幂函数电流产生电路包括i+j个带有射极负反馈的双极型类限幅差分对，其中i是大于等于4的整数，j为大于等于1的整数。本发明是一种适于集成、低噪声、面向宽中心温度偏移范围的高次幂函数产生电路，非常适于对高精度要求的晶体振荡器进行温度补偿。
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公开(公告)号：CN105892548A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201410188122.8
申请日：2014-05-07
Applicant: 北京同方微电子有限公司
IPC: G05F1/567
Abstract: 一种具有温度补偿功能的基准电压产生电路，涉及参考电压源技术领域。本发明包括依次连接的正温度系数电压产生电路和类LDO电路。所述正温度系数电压产生电路由单级或多级单元电路组成，每级单元电路包括采用MOS管的偏置电流源P和两个NMOS管。各级单元电路顺序级联，每级单元电路中的NMOS管A的栅极与NMOS管B的栅极相连接后分别接至NMOS管A的漏极与偏置电流源P的漏极，NMOS管A的源极与NMOS管B的漏极相连接作为输出节点。偏置电流源P产生的电流经过该级NMOS管A与NMOS管B后由NMOS管B的源极连接至下一级单元电路中NMOS管A的源极和NMOS管B的漏极。所述类LDO电路包括运算放大器和输出单元。本发明在不显著增加面积的情况下，有效降低系统功耗，且具有温度补偿功能。
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公开(公告)号：CN203825522U
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201420228571.6
申请日：2014-05-07
Applicant: 北京同方微电子有限公司
IPC: G05F1/567
Abstract: 具有温度补偿功能的基准电压产生电路，涉及参考电压源技术领域。本实用新型包括依次连接的正温度系数电压产生电路和类LDO电路。所述正温度系数电压产生电路由单级或多级单元电路组成，每级单元电路包括采用MOS管的偏置电流源P和两个NMOS管。各级单元电路顺序级联，每级单元电路中的NMOS管A的栅极与NMOS管B的栅极相连接后分别接至NMOS管A的漏极与偏置电流源P的漏极，NMOS管A的源极与NMOS管B的漏极相连接作为输出节点。偏置电流源P产生的电流经过该级NMOS管A与NMOS管B后由NMOS管B的源极连接至下一级单元电路中NMOS管A的源极和NMOS管B的漏极。所述类LDO电路包括运算放大器和输出单元。本实用新型在不显著增加面积的情况下，有效降低系统功耗，且具有温度补偿功能。
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公开(公告)号：CN203206191U
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201320138938.0
申请日：2013-03-26
Applicant: 北京同方微电子有限公司
IPC: H03K3/02
Abstract: 用于晶振温度补偿的模拟高阶幂函数发生电路，涉及晶体温度特性补偿电路技术领域。本实用新型包括依次连接的温度传感器、幂函数电流产生电路、跨阻放大器与电压加法器。温度传感器通过将外部温度转换成对应的线性的电压函数送入幂函数电流产生电路的输入端，幂函数电流产生电路将信息转换为对应的高阶函数曲线并通过跨阻放大器转换为电压，再通过电压加法器与一阶函数、零阶校准函数相加成所需电压。所述幂函数电流产生电路包括i+j个带有射极负反馈的双极型类限幅差分对，其中i是大于等于4的整数，j为大于等于1的整数。本实用新型是一种适于集成、低噪声、面向宽中心温度偏移范围的高次幂函数产生电路，非常适于对高精度要求的晶体振荡器进行温度补偿。
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