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公开(公告)号：CN108152604A
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201611101646.4
申请日：2016-12-05
Applicant: 北京同方微电子有限公司
IPC: G01R29/12
CPC classification number: G01R29/12
Abstract: 本发明提供了一种非接触卡场强检测电路。所述场强检测电路包括电流镜电路、电流-电压转换电路和ADC电路，其中，电流镜像电路将限幅电路中表征场强大小的电流镜像为20uA~360uA的电流信号，并输出给电流-电压转换电路，电流-电压转换电路将电流信号转换为电压信号，ADC电路再将电压信号转化为数字化的场强指示信号，使得外部数字电路根据场强指示信号对运行频率做出实时调整。采用本发明设计的卡片在相同读卡距离上运行速度更快，且运行速度随着距离的变化更为线性，并且由于数字电路提前做出了调整，电新的电路中不需要大的电容来保证系统不掉电，从而节省了芯片面积。
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公开(公告)号：CN108133247A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201611081802.5
申请日：2016-11-30
Applicant: 北京同方微电子有限公司
IPC: G06K19/07
CPC classification number: G06K19/0715
Abstract: 本发明提供一种非接触卡模拟前端电源电路。该非接触卡模拟前端电源电路包含整流限幅电路、充放电控制电路、3.6V储能电容和低压差稳压电路，其中，整流限幅电路将卡片天线从卡机天线感应到的13.56MHz的交流信号转换为直流电压Vrf，充放电控制电路根据直流电压Vrf的电压值大小完成对3.6V储能电容的充放电控制，低压差稳压电路将直流电压Vrf转换为稳定的核心电压VDD。充放电控制电路根据检测直流电压Vrf的变化，控制3.6V储能电容的供电选择，当直流电压Vrf大于3.6V，给3.6V储能电容充电，且输出电压不会大于3.5V；当直流电压Vrf小于3.6V，控制3.6V储能电容给核心电路VDD供电。该模拟前端电源电路减小了对高压无源电容器件的需求，有效降低芯片面积，从而降低了整个芯片制造成本。
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公开(公告)号：CN109962723A
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201711336121.3
申请日：2017-12-14
Applicant: 北京同方微电子有限公司
IPC: H04B5/00
Abstract: 本发明提供了一种带自动调节负载电阻的调制电路，所述调制电路包括电磁感应耦合电路、整流电路、限幅电路和自调节电路，其中，电磁感应耦合电路包括第一电感器、第二电感器和第一电容器，第一电感器的两端连接交流功率电源，第二电感器的一端连接第一电容器的一端，第二电感器的另一端与第一电容器的另一端相连接，第二电感器与第一电感器通过互感系数相连接。本发明由于整流电路和限幅电路中的NMOS晶体管分别独立连接成二极管形式，降低了整流电路和限幅电路以及所述调制电路之间的相互串扰。同时，本发明中所述调制电路中的NMOS晶体管可以成比例复制限幅电路中的NMOS晶体管的电流，能够降低调制电路的静态工作功耗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108227819A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201611133933.3
申请日：2016-12-10
Applicant: 北京同方微电子有限公司
IPC: G05F3/26
CPC classification number: G05F3/26
Abstract: 本发明提供一种具有直流失调校准功能的低压带隙基准电路。所述低压带隙基准电路包括PNP三极管、电阻、PMOS晶体管、NMOS晶体管、放大器电路、逻辑电路、启动电路和开关，其中，逻辑电路将外部使能信号和外部时钟信号转换为第一内部信号、第二内部信号和第三内部信号，提供给具有直流失调校准功能的放大器电路，所述放大器电路，在闭环状态下存储输入失调电压，在开环状态下进行实时校准，以保证低压带隙基准电路输出参考电压VREF的精确度。与现有的低压带隙基准电路相比，本发明低压带隙基准电路的代价仅为两个外部数字信号，以及少量的额外器件和功耗，即能够消除放大器电路失调电压的影响，以保证低压带隙基准电路输出参考电压VREF的精确度。
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公开(公告)号：CN108206641A
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：CN201611182560.9
申请日：2016-12-20
Applicant: 北京同方微电子有限公司
CPC classification number: Y02B70/1408 , H02M7/219 , H02M1/14
Abstract: 本发明提供一种低功耗全波有源整流器，所述全波有源整流器包括电磁感应耦合电路、交叉耦合NMOS晶体开关管电路、有源二极管电路、滤波电路，其中，电磁感应耦合电路的输出端连接交叉耦合NMOS晶体开关管电路和有源二极管电路的输入端，有源二极管电路的输出端连接滤波电路，外来输入交流信号Vin经过有源二极管电路后输出电压VDD_RF，输出电压VDD_RF经过滤波电路滤掉交流信号后供给负载使用。本发明全波有源整流器中不再使用肖特基二极管或低阈值MOS晶体管，减小了电路版图的面积，有利于整流器的集成，又减少了额外掩膜和工序，大大降低制造成本。
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公开(公告)号：CN207053545U
公开(公告)日：2018-02-27
申请号：CN201721017994.3
申请日：2017-08-15
Applicant: 北京同方微电子有限公司
IPC: H04L27/06
Abstract: 本实用新型提供了一种将多路数字信号转换为单路数字信号的解调电路，包括放大器和模数转换电路，所述解调电路还包括信号转换电路；信号转换电路包括滤波电路、解码电路和整形电路，滤波电路依次连接解码电路和整形电路。该解调电路能够实现对不同幅度的信号进行解调，具有更好的抑制干扰的能力，同时，还改善了现有解调电路的工作方式，将ADC输出的多路数字信号全部使用，实现更好的解调信号输出。
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公开(公告)号：CN206322107U
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：CN201621378500.X
申请日：2016-12-15
Applicant: 北京同方微电子有限公司
IPC: G06F1/24
Abstract: 本实用新型公开了一种适用于低电源电压域的上电复位电路。所述上电复位电路包括电源电压检测电路、施密特触发器和延时整形电路，其中，电源电压检测电路由电阻、电容和NMOS晶体管构成，电阻一端接电源电压VDD，电阻另一端接NMOS晶体管的漏端，NMOS晶体管的栅端接电源电压VDD，其漏端接施密特触发器，其源端接地；电容一端接NMOS晶体管的漏端，电容另一端接地；施密特触发器的输入端接NMOS晶体管的漏端，其输出端接延时整形电路的输入，延时整形电路输出上电复位信号。所述上电复位电路在低电源电压域实现了NMOS管工作在饱和区，能够输出更加可靠的复位信号，并且节省了器件面积，降低了器件成本。
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