-
公开(公告)号：CN110047552A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201810035251.1
申请日：2018-01-15
Applicant: 北京同方微电子有限公司
IPC: G11C29/12
Abstract: 本发明提供一种存储器读出速度测量电路，所述测量电路包括读取操作电路、锁存器和二路选择器，其中，读取操作电路连接锁存器，二路选择器连接并控制锁存器，二路选择器内置内部定时信号、读取时钟和读取速度测试模式开关信号，读取操作电路读取存储器中的存储数据，并将所读取的存储数据传送给锁存器，锁存器锁存保持住所读取的存储数据。本发明在存储器内部增加一个二路选择器来控制存储器读出数据锁器，不仅实现保留原有的正常读取操作，还增加读取速度测试模式，仅通过调整存储器输入的读取时钟占空比就可以准确测量存储器的读取速度，而不受到芯片内部数据传输延时的干扰，能够精确、简单方便、低成本地实现存储器的读取速度的直接测量。
-
公开(公告)号：CN107480311A
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201610398408.8
申请日：2016-06-07
Applicant: 北京同方微电子有限公司
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5072 , G06F2217/12
Abstract: 本发明公开了一种快速预估模拟电路版图面积的系统和方法，在模拟电路设计完成后，首先通过文本处理编程语言将模拟电路转换成模拟电路网表，然后通过文本编程语言快速计算模拟电路版图预估面积，提高工作效率，避免通过版图实现软件工具调取器件版图搭建粗糙的模拟电路版图，缩小测量版图实际尺寸计算版图面积的工作量，缩短计算模拟电路版图面积的时间周期。
-
公开(公告)号：CN106816174A
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201510850658.6
申请日：2015-11-30
Applicant: 北京同方微电子有限公司
Abstract: 本发明涉及一种FLASH存储器编程电路及其电压控制方法；该FLASH存储器为SST型，编程电路包括一级译码电路、二级译码选通电路、选通开关电路、SLBIAS电压控制电路、钳位电路和下拉电路；当FLASH存储器处于编程状态时，若存储单元没有沟道漏电，未被选中的SL电压为浮空状态；若存储单元有沟道漏电，未被选中的SL电压被钳位电路钳位，SL电压被限制到MOS晶体管阈值电压附近，通过衬偏作用抑制存储单元沟道漏电增大，有效防止未被选中的SL上的漏电发生；同时，该编程电路电压控制方法实现简单，能有效降低芯片功耗，并较少芯片面积。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108072786A
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201611002365.3
申请日：2016-11-15
Applicant: 北京同方微电子有限公司
IPC: G01R19/165
CPC classification number: G01R19/16576
Abstract: 本发明提供一种低电压检测电路。所述低电压检测电路包括电阻、耐高压电流源电路和耐高压比较器电路，其中，电阻一端连接外部电压电源，电阻另一端串联连接耐高压电流源电路一端，耐高压电流源电路另一端接地电压，耐高压电流源电路与电阻的中间节点电压作为采样电压；采样电压在耐高压比较器电路中与参考电压比较，当外部电压小于1.5V时，耐高压比较器电路输出内部电压域的低电压检测报警信号。这样，在外部电压改变时，电阻和耐高压电流源串联的工作电流保持不变，不会由于外部电压的升高而升高。
-
公开(公告)号：CN106933285A
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201511011611.7
申请日：2015-12-30
Applicant: 北京同方微电子有限公司
IPC: G05F1/56
CPC classification number: G05F1/561
Abstract: 本发明提供一种线性稳压电路，包含：预稳压电路、升压电路、电压转换控制电路、比较器、误差放大器、功率器件和分压电路；所述预稳压电路为升压电路提供电源，升压电路提供控制转换中所需的高压；在输入信号VCC>VOUT+VTH时，电压转换控制电路将误差放大器的输出传输至功率器件的栅极，作为一个传统的HDO工作；当输入信号VCC≤VOUT+VTH时，电压转换控制电路将升压电路上的高压信号传输至功率器件的栅极，使功率器件高效的传输；针对不同的输入信号VCC，电压转换控制电路实现不同模式的切换，实现输出稳定电压信号。
-
公开(公告)号：CN106936415A
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201511014200.3
申请日：2015-12-31
Applicant: 北京同方微电子有限公司
IPC: H03K17/284
CPC classification number: H03K17/284
Abstract: 本发明涉及一种低功耗延时电路；该低功耗延时电路包括输入反相器，输出反相器，延时电容，电流源及电流源控制电路，所述延时电路在普通模式下通过电流源对延时电容充电实现较高精度的延时；在低功耗模式下，通过不限制延时电容充电电流，实现延时电路不依赖电流源仍然可以实现信号传输；在本发明的延时电路低功耗应用方案既保留了现有技术延时电路的高精度、低功耗的优点，有实现了在低功耗模式下的信号正确传递，保证了整个电路的正常工作。
-
公开(公告)号：CN106935268A
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201511015036.8
申请日：2015-12-31
Applicant: 北京同方微电子有限公司
IPC: G11C16/30
CPC classification number: G11C16/30
Abstract: 本发明涉及一种非易失性存储器双电源管理电路；所述非易失性存储器双电源管理电路，采用容性负载电路和非容性负载电路，其中，容性负载电路单独供电，其电源与非容性负载电路相隔离开，其中，容性负载电路的外部电源为经过升压处理操作的电源，非容性负载电路为其他静态功耗较大的电路提供电源；容性负载电路和非容性负载电路的电源隔离开来，互不干扰，即便是在外部电源电压较低等极限情况下，也能保证对电源电压稳定性要求较高且是容性负载电路这一路电源的稳定性，从而提高非易失性存储器的操作稳定性。
-
公开(公告)号：CN205140523U
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201520987165.2
申请日：2015-12-02
Applicant: 北京同方微电子有限公司
IPC: G11C16/26
Abstract: 本实用新型涉及一种非挥发存储器读取可靠性的自检测电路；该自检测电路包括NVM存储电路、NVM影子存储电路、读取电路、影子读取电路，在NVM存储电路和读取电路工作的同时，使得影子NVM存储电路和影子读取电路也工作，并依照影子读取电路读出数据的正确与否，检测读取的NVM数据是否可靠有效；当影子读取电路读出数据正确时，检测读取的NVM数据可靠有效；当影子读取电路读出数据有错误时，检测读取的NVM数据无效；该自检测电路能够实时、有效检测读取数据的可靠性。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
8
records
(took 0.042 seconds)
