-
公开(公告)号:CN117790095A
公开(公告)日:2024-03-29
申请号:CN202311636773.4
申请日:2023-12-01
Applicant: 北京卫星制造厂有限公司
Abstract: 针对宇航高压供电母线和低气压放电风险,本发明公开一种适用于宇航高压大功率汇流条的绝缘防护结构,包括紧固螺钉、T型绝缘件、热缩套管、聚酰亚胺薄膜、O型绝缘件;紧固螺钉的螺纹铣削区域缠绕聚酰亚胺薄膜,使用RSG热缩套管对缠绕聚酰亚胺薄膜的位置吹塑;使用GD414胶涂抹至RSG热缩套管外部;T型绝缘件套在紧固螺钉上,位于紧固螺钉的螺纹铣削区域;T形绝缘件穿过汇流条通孔,T形绝缘件尾部端面插入O型绝缘件端面的凹槽内。
-
公开(公告)号:CN114203675A
公开(公告)日:2022-03-18
申请号:CN202111351677.6
申请日:2021-11-16
Applicant: 北京卫星制造厂有限公司
IPC: H01L23/552 , H01L23/06 , H01L23/373 , H01L21/48
Abstract: 本发明涉及一种屏蔽装置及其制备方法,装置包括底座(1)、侧壁(2)和上盖(3),所述底座(1)、所述侧壁(2)和所述上盖(3)均由高原子序数层(4)和低原子序数层(5)交替层叠形成。本发明能够增强辐照屏蔽效果并提高导热率。
-
公开(公告)号:CN119421427A
公开(公告)日:2025-02-11
申请号:CN202411544154.7
申请日:2024-10-31
Applicant: 北京卫星制造厂有限公司
Abstract: 本发明公开一种具有新型空穴抽出结构的IGBT元胞。通过在沟槽两侧引入交替分布的低掺杂N型埋层和低掺杂P型埋层,N型埋层的浓度刚好与相邻两个P型区域形成阈值电压接近0的积累型PMOS。在器件关断时,垂直方向上的PMOS开启形成一条垂直的空穴通路,连接了所有的P型埋层和Pbody。该通路将传统IGBT空穴抽出通路的一个较高的势垒转化为了数个较低的势垒,提高了空穴抽出通路在能量变化上的平滑性,提高了抽出速度。垂直方向上的多个P型埋层以及反型沟道形成了一个梳状的空穴抽出结构,该结构的面积远大于传统IGBT元胞结构,提高空穴抽出速率。相对于传统IGBT元胞,本发明的关断速度更快、关断损耗更低。
-
公开(公告)号:CN118653141A
公开(公告)日:2024-09-17
申请号:CN202410632734.5
申请日:2024-05-21
Applicant: 北京卫星制造厂有限公司
Abstract: 本发明涉及一种曲面异质界面高可靠连接方法,属于高精度激光制造领域;制作P I基材;在曲面衬底的上表面喷涂PI基材,形成P I基底;制作催化胶,并调控催化胶的浸润性;将催化胶喷涂在PI基底上表面;固化催化胶,实现催化胶与PI基底、曲面衬底共型;通过激光对催化胶上表面进行活化处理,生成获得活性位点;在催化胶上表面沉积铜层;铜层在的活性位点处与催化胶结合;本发明利用催化胶的催化特性形成与异质材料的锚合结构,降低界面力,进而提高其结合力,实现曲面异质界面的高可靠连接。
-
公开(公告)号:CN114188129B
公开(公告)日:2024-05-28
申请号:CN202111368699.3
申请日:2021-11-18
Applicant: 北京卫星制造厂有限公司
IPC: H01F27/26 , H01F27/06 , H01F27/28 , H01F27/29 , H01F27/30 , H01F27/32 , H01F27/34 , H01F41/02 , H01F41/061 , H01F41/064 , H01F41/076 , H01F41/12
Abstract: 本发明涉及一种变压器及其制备方法,变压器包括架体(1)、线式绕组(2)和磁芯(3),所述架体(1)包括支承框(11)和底座(12),所述线式绕组(2)绕制在所述支承框(11)上,还包括片式绕组(4),所述片式绕组(4)套设在所述线式绕组(2)的外侧。本发明可以提高电源产品的效率和空间利用率。
-
公开(公告)号:CN114188129A
公开(公告)日:2022-03-15
申请号:CN202111368699.3
申请日:2021-11-18
Applicant: 北京卫星制造厂有限公司
IPC: H01F27/26 , H01F27/06 , H01F27/28 , H01F27/29 , H01F27/30 , H01F27/32 , H01F27/34 , H01F41/02 , H01F41/061 , H01F41/064 , H01F41/076 , H01F41/12
Abstract: 本发明涉及一种变压器及其制备方法,变压器包括架体(1)、线式绕组(2)和磁芯(3),所述架体(1)包括支承框(11)和底座(12),所述线式绕组(2)绕制在所述支承框(11)上,还包括片式绕组(4),所述片式绕组(4)套设在所述线式绕组(2)的外侧。本发明可以提高电源产品的效率和空间利用率。
-
公开(公告)号:CN118629970A
公开(公告)日:2024-09-10
申请号:CN202410754501.2
申请日:2024-06-12
Applicant: 北京卫星制造厂有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/48 , H01L23/367 , H01L21/56
Abstract: 本申请公开了一种高可靠性大面积陶瓷封装器件的低热失配装联结构及方法,涉及高可靠性高功率集成电路装联领域,包括U型铜片,U型铜片包括连接部分和两个平行的连接部,连接部分连接于两个连接部的一端,垂直于连接部所在平面的方向为U型铜片的高度方向;U型铜片在自身高度方向的两个表面分别与SMD封装陶瓷管壳器件的电极、以及印制板的焊盘连接;同一个SMD封装陶瓷管壳器件与印制板之间有至少两个U型铜片,至少有两个U型铜片的开口方向相对。解决高功率SMD封装陶瓷管壳器件在印制板上装联产生的热失配问题。
-
公开(公告)号:CN116191155A
公开(公告)日:2023-05-30
申请号:CN202211659207.0
申请日:2022-12-22
Applicant: 北京卫星制造厂有限公司
Abstract: 本发明公开了一种长针电连接器返修方法,包括:取待返修产品;使用隔热胶带和防静电袋对待返修产品进行保护;对待返修产品进行预处理和预加热;将预处理和预加热后的待返修产品从返修工作站拆下并安装至喷锡拆焊台专用工装,使用喷锡拆焊台进行加热,将长针电连接器从印制板上拆除下来;对印制板焊盘多余焊锡进行吸除;对拆除后的长针电连接器进行去金、搪锡、安装、焊接,完成对长针电连接器的返修;对完成返修的长针电连接器进行清洁后检查。本发明通过设计喷锡拆焊台专用工装,提高了预热效率和预热温度,将返修高温加热时间缩减到4秒内,并通过优化焊盘清理方式减小焊盘加热次数,以满足航天器电子产品高可靠返修的要求,实现了长针电连接器高可靠返修。
-
-
-
-
-
-
-