微弧氧化反应装置
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119877064A

    公开(公告)日:2025-04-25

    申请号:CN202411850691.4

    申请日:2024-12-16

    Abstract: 本申请涉及一种微弧氧化反应装置,所述微弧氧化反应装置包括:电源;至少一个电解槽,电解槽用于放置待氧化件,电源用于和电解槽和待氧化件电性导通;添加机构,添加机构包括容置槽,容置槽用于容置添加剂,在电解槽为一个时,容置槽与该电解槽导通,在电解槽为多个时,容置槽与其中的一个电解槽导通,容置槽用于向电解槽内释放添加剂,容置槽设有出口,出口处设置有电磁阀和流量计,电磁阀用于控制出口的开度;控制机构,控制机构与电磁阀以及流量计均电性连接,控制机构用于控制电磁阀的开度。根据本申请的微弧氧化反应装置,使第一电解槽中的特定氧化物浓度逐渐上升,从而使得最终形成的氧化层中特定氧化物浓度呈现梯度上升趋势。

    铝硅材料表面低释氢高可焊金镀层及其制备方法

    公开(公告)号:CN117512574A

    公开(公告)日:2024-02-06

    申请号:CN202311400873.7

    申请日:2023-10-26

    Abstract: 本发明公开了一种铝硅材料表面低释氢高可焊金镀层的制备方法,包括:对铝硅材料表面进行前处理;对铝硅材料表面进行化学氧化和硅烷化;对铝硅材料表面进行敏化、活化、还原;对铝硅材料表面进行一次化学镀镍、一次除氢和喷砂处理;对铝硅材料表面进行二次化学镀镍;对铝硅材料表面进行镀金,在铝硅材料表面形成金镀层;对铝硅材料表面的金镀层进行二次除氢。本发明还公开了采用上述制备方法得到的低释氢高可焊金镀层。本发明实现了铝硅表面均匀活性点制备,保证后续镀层结晶均匀,附着力强,通过二次真空热处理,进行镀层除氢,实现了铝硅材料表面低释氢高可焊金镀层制备。

    一种基于制造数据的表面处理工艺设计系统及方法

    公开(公告)号:CN116187004A

    公开(公告)日:2023-05-30

    申请号:CN202211689788.2

    申请日:2022-12-27

    Abstract: 本发明提供了一种基于制造数据的表面处理工艺设计系统及方法,针对多品种小批量生产模式的特点,多品种小批量生产方式需要频繁应对新工件、新工艺,单纯依靠人工经验无法获得满意的加工效果,将传统的“经验或手动查询”转变成“知识自主检索”的工作方式,且是在编辑工艺的过程中持续动态的检索知识并推送给工艺员,构建了产品、工艺、制造的全局知识链,形成了面向航天产品表面处理工艺参数优化技术方法体系,实现面向环境、设备、溶液、时间等多维度工艺参数协同的组合型知识,支撑加工工艺参数优化,能够利用已有加工数据及知识,在加工过程中优化加工工艺参数,提供更大的加工工艺参数选择空间,满足企业对加工质量、时间、成本多样性需求。

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