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公开(公告)号：CN113703811A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202111037396.3
申请日：2021-09-06
Applicant: 北京半导体专用设备研究所(中国电子科技集团公司第四十五研究所)
Abstract: 本申请提供了一种DSP远程下载固件的方法、装置、设备及存储介质，应用于固件下载技术领域，包括：PC上位机将IBL引导程序烧写到多核DSP板卡的FLASH存储器中；烧写完成后，PC上位机的串口终端软件，根据JSON配置文件对IBL引导程序进行参数配置；PC上位机利用参数配置的结果，通过TFTP Server程序与多核DSP板卡建立网络连接；TFTP Server程序通过建立的网络连接，将固件程序下载到多核DSP板卡中，固件程序为ELF文件格式。本申请的有益效果主要在于：本申请的多核DSP板卡根据烧写好的IBL引导程序与PC上位机建立网络连接，该网络连接不受空间和距离限制，操作更便捷，在不同的应用环境中，无需改变IBL引导程序参数配置，即可改变网络地址和网络端口，实现固件程序下载。
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公开(公告)号：CN113703811B
公开(公告)日：2024-04-23
申请号：CN202111037396.3
申请日：2021-09-06
Applicant: 北京半导体专用设备研究所(中国电子科技集团公司第四十五研究所)
Abstract: 本申请提供了一种DSP远程下载固件的方法、装置、设备及存储介质，应用于固件下载技术领域，包括：PC上位机将IBL引导程序烧写到多核DSP板卡的FLASH存储器中；烧写完成后，PC上位机的串口终端软件，根据JSON配置文件对IBL引导程序进行参数配置；PC上位机利用参数配置的结果，通过TFTP Server程序与多核DSP板卡建立网络连接；TFTP Server程序通过建立的网络连接，将固件程序下载到多核DSP板卡中，固件程序为ELF文件格式。本申请的有益效果主要在于：本申请的多核DSP板卡根据烧写好的IBL引导程序与PC上位机建立网络连接，该网络连接不受空间和距离限制，操作更便捷，在不同的应用环境中，无需改变IBL引导程序参数配置，即可改变网络地址和网络端口，实现固件程序下载。
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公开(公告)号：CN117055303A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202311140776.9
申请日：2023-09-05
Applicant: 北京半导体专用设备研究所(中国电子科技集团公司第四十五研究所)
IPC: G03F7/20
Abstract: 本申请提供了一种曝光系统及其测定方法、电子设备、存储介质，其中，通过以下方式对曝光系统进行测定：获取光源与衰减装置的衰减玻璃之间的入射角度值小于第一目标入射角度值时，入射角度值与能量传感器对应采集到的脉冲能量值之间的第一关系曲线；截取第一关系曲线中入射角度值在目标范围内的第二关系曲线，其中，目标范围为第二目标入射角度值至第三目标入射角度值，第二目标入射角度值小于第三目标入射角度值，第三目标入射角度值小于第一目标入射角度值；按照固定间隔对第二关系曲线进行采样，以获取多个采样点；针对每个采样点，确定该采样点对应的入射角度值、脉冲能量传输率，并生成入射角度值与脉冲能量传输率的第一映射关系表。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114518221B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202210260750.7
申请日：2022-03-16
Applicant: 北京半导体专用设备研究所(中国电子科技集团公司第四十五研究所)
Abstract: 本申请提供了一种基于曝光系统的物镜焦平面倾斜值的检测方法及装置，检测方法包括：通过改变可移动工作台的运动位置来执行多次曝光，在每次曝光过程中曝光光源发射的光经由掩模板和物镜，照射到晶圆上；对执行多次曝光后的晶圆进行显影，获得与掩模板上的每个图形对应的多个曝光图形；针对每个图形，确定与该图形对应的多个曝光图形中的最清晰的曝光图形，将最清晰的曝光图形所在位置确定为该图形对应的最佳曝光位置；根据各图形对应的最佳曝光位置和可移动工作台在每次曝光过程中的运动位置，确定物镜的物镜焦平面倾斜值。本申请通过多次曝光得到最清晰的曝光图形所在位置来获得物镜焦平面倾斜值，简化焦面倾斜检测过程，提高检测效率。
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公开(公告)号：CN114594810B
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202210201055.3
申请日：2022-03-03
Applicant: 北京半导体专用设备研究所(中国电子科技集团公司第四十五研究所)
IPC: G05D23/20
Abstract: 本申请提供了一种温度控制方法、装置及电子设备，其中，该方法包括：获取当前采样时刻的真实投影物镜温度和预置投影物镜温度，计算当前采样时刻的真实投影物镜温度与预置投影物镜温度的第一投影物镜温度偏差的绝对值；确定第一投影物镜温度偏差的绝对值对应的当前温差范围；根据当前温差范围确定对应的目标调节值，将循环水对应的温度调节设备调节到目标调节值；确定调节后的真实投影物镜温度是否属于目标温度范围；若调节后的真实投影物镜温度不属于目标温度范围，则跳转到获取当前采样时刻的真实投影物镜温度和预置投影物镜温度继续执行。
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公开(公告)号：CN114578658A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210214784.2
申请日：2022-03-07
Applicant: 北京半导体专用设备研究所(中国电子科技集团公司第四十五研究所)
IPC: G03F7/20
Abstract: 本申请提供了一种基于曝光剂量控制系统的曝光剂量控制方法，该方法包括：控制快门打开；接收能量传感器采集到的能量值，基于能量值确定累计曝光剂量值；确定累计曝光剂量值是否不小于目标剂量值；若累计曝光剂量值不小于目标剂量值，则控制快门开始关闭；将快门完全关闭后的抖动延时结束时刻对应的累计曝光剂量值作为实际累计曝光剂量值；基于实际累计曝光剂量值，确定曝光剂量误差值；确定曝光剂量误差值是否满足要求；若曝光剂量误差值不满足要求，则更新等效剂量值，返回执行第一步；若曝光剂量误差值满足要求，将等效剂量值应用到曝光系统中。通过一种基于曝光剂量控制系统的曝光剂量控制方法，解决了曝光剂量控制精度低的问题。
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公开(公告)号：CN114518221A
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202210260750.7
申请日：2022-03-16
Applicant: 北京半导体专用设备研究所(中国电子科技集团公司第四十五研究所)
Abstract: 本申请提供了一种基于曝光系统的物镜焦平面倾斜值的检测方法及装置，检测方法包括：通过改变可移动工作台的运动位置来执行多次曝光，在每次曝光过程中曝光光源发射的光经由掩模板和物镜，照射到晶圆上；对执行多次曝光后的晶圆进行显影，获得与掩模板上的每个图形对应的多个曝光图形；针对每个图形，确定与该图形对应的多个曝光图形中的最清晰的曝光图形，将最清晰的曝光图形所在位置确定为该图形对应的最佳曝光位置；根据各图形对应的最佳曝光位置和可移动工作台在每次曝光过程中的运动位置，确定物镜的物镜焦平面倾斜值。本申请通过多次曝光得到最清晰的曝光图形所在位置来获得物镜焦平面倾斜值，简化焦面倾斜检测过程，提高检测效率。
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公开(公告)号：CN114594810A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202210201055.3
申请日：2022-03-03
Applicant: 北京半导体专用设备研究所(中国电子科技集团公司第四十五研究所)
IPC: G05D23/20
Abstract: 本申请提供了一种温度控制方法、装置及电子设备，其中，该方法包括：获取当前采样时刻的真实投影物镜温度和预置投影物镜温度，计算当前采样时刻的真实投影物镜温度与预置投影物镜温度的第一投影物镜温度偏差的绝对值；确定第一投影物镜温度偏差的绝对值对应的当前温差范围；根据当前温差范围确定对应的目标调节值，将循环水对应的温度调节设备调节到目标调节值；确定调节后的真实投影物镜温度是否属于目标温度范围；若调节后的真实投影物镜温度不属于目标温度范围，则跳转到获取当前采样时刻的真实投影物镜温度和预置投影物镜温度继续执行。
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