公开(公告)号：CN108038394B

公开(公告)日：2021-04-30

申请号：CN201711304072.5

申请日：2017-12-11

Applicant: 北京北大众志微系统科技有限责任公司

Inventor： 程旭 ,  韩晓磊 ,  陆俊林 ,  李群 ,  李宁

IPC: G06F21/72 ,  H01L23/00

Abstract: 本发明涉及一种基于碳硅融合技术的加解密芯片，包括硅基晶体管加解密算法电路和碳纳米晶体管密钥注入存储电路。其中，所述的硅基晶体管加解密算法电路是以硅为衬底的硅基集成电路，所述的碳纳米晶体管密钥注入存储电路叠加在硅基集成电路上。本发明提供的基于碳硅融合技术的加解密芯片，在硅基集成电路上二次集成碳纳米晶体管电路，通过碳纳米管电路实现加解密芯片密钥的注入存储；进一步的，利用碳纳米晶体管的特性，增加密钥破解难度，同时可实现密钥存储电路的自毁，提升加解密芯片的安全性。

公开(公告)号：CN108038394A

公开(公告)日：2018-05-15

申请号：CN201711304072.5

申请日：2017-12-11

Applicant: 北京北大众志微系统科技有限责任公司

Inventor： 程旭 ,  韩晓磊 ,  陆俊林 ,  李群 ,  李宁

IPC: G06F21/72 ,  H01L23/00

CPC classification number: H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明涉及一种基于碳硅融合技术的加解密芯片，包括硅基晶体管加解密算法电路和碳纳米晶体管密钥注入存储电路。其中，所述的硅基晶体管加解密算法电路是以硅为衬底的硅基集成电路，所述的碳纳米晶体管密钥注入存储电路叠加在硅基集成电路上。本发明提供的基于碳硅融合技术的加解密芯片，在硅基集成电路上二次集成碳纳米晶体管电路，通过碳纳米管电路实现加解密芯片密钥的注入存储；进一步的，利用碳纳米晶体管的特性，增加密钥破解难度，同时可实现密钥存储电路的自毁，提升加解密芯片的安全性。