公开(公告)号：CN118862665A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202410898492.4

申请日：2024-07-05

Applicant: 北京信息科技大学

Inventor： 吴健鹏 ,  丁奥 ,  王立勇 ,  赵鹏 ,  宋越

IPC: G06F30/27 ,  G06F30/23 ,  G06N3/0464 ,  G06N3/084 ,  G01K11/00 ,  G01M13/022 ,  G06F119/08

Abstract: 本发明涉及一种湿式摩擦元件温度场重构方法、系统、存储介质及设备，其包括：建立碳化硅晶体内部的结构缺陷浓度变化与所经历的最高温度的函数曲线；将中子辐照处理后的碳化硅晶体进行微型化切割，得到长方体状的微型晶体，并将该微型晶体安装至湿式摩擦元件的各温度观测点处；湿式摩擦元件工作完成后取出微型晶体，测量出微型晶体在湿式摩擦元件的各温度观测点处所经历最高温度时晶体内部结构缺陷恢复的程度，并与函数曲线进行对比，得到各温度观测点处湿式摩擦元件在工作过程中所经历的最高温度；根据各温度观测点处的最高温度，建立模拟温度场数据集，将温度场数据集输入Unet神经网络，以对湿式摩擦元件整个摩擦界面的温度场进行重建。