公开(公告)号：CN119615077A

公开(公告)日：2025-03-14

申请号：CN202411834443.0

申请日：2024-12-13

Applicant: 化学与精细化工广东省实验室潮州分中心 ,  武汉理工大学

Inventor： 涂溶 ,  陈梦辉 ,  章嵩 ,  後藤孝

IPC: C23C14/32 ,  C23C14/35 ,  C23C14/02 ,  C23C14/06

Abstract: 本发明公开了一种高硬度、低摩擦多层复合刀具涂层及其制备方法，该高硬度、低摩擦多层复合刀具涂层由多弧离子镀和高功率脉冲磁控溅射共沉积技术制备，其结构为Ti打底层，TiN过渡层以及交替沉积的TiSiN硬质支撑层和TiSi‑DLC减摩层。本发明的一种高硬度、低摩擦多层复合刀具涂层及其制备方法通过涂层交替沉积设计，有效平衡了层间内应力，提升了涂层与基体的结合力，契合工业切削刀具表面改性需求，同时通过改变调制周期，进一步提升涂层的综合力学性能，具有推广价值。

公开(公告)号：CN104032197A

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201410301100.8

申请日：2014-06-26

Applicant: 武汉理工大学

Inventor： 涂溶 ,  朱佩佩 ,  章嵩 ,  後藤孝 ,  张联盟

IPC: C22C29/16 ,  C22C1/05 ,  B22F1/00 ,  C23C16/18

Abstract: 本发明公开了一种TiN-Ni复合陶瓷的制备方法，首先以TiN粉末、二茂镍作为原料，采用旋转化学气相沉积法制备得到TiN-Ni复合陶瓷粉末；再采用放电等离子烧结法将所述TiN-Ni复合陶瓷粉末烧结成TiN-Ni复合陶瓷。本发明所制备的复合陶瓷粉末Ni均匀分布于TiN表面，不仅显著地提高了TiN粉末的烧结活性，获得高致密度的复合材料，而且使得材料具有优异的力学性能。

公开(公告)号：CN105753476B

公开(公告)日：2018-01-12

申请号：CN201610086552.8

申请日：2016-02-16

Applicant: 武汉理工大学

Inventor： 贺振华 ,  周建 ,  後藤孝

IPC: C04B35/52 ,  C04B35/645 ,  C04B35/628

Abstract: 本发明涉及一种金刚石复合材料的制备方法。采用放电等离子烧结制备超高硬度金刚石复合材料的方法，其特征是它包括如下步骤：(1)粉体表面修饰；在金刚石粉体表面沉积包覆0.1～50 纳米厚度的碳化硅薄膜；(2)干燥；(3)加入烧结助剂：与非晶态二氧化硅粉体混合，研磨，得到复合粉体；(4)放电等离子烧结：在30～100 MPa烧结压力下，温度1400～1700℃下，放电等离子烧结10～30分钟，得到复合材料；(5)脱模抛光，获得超高硬度金刚石复合材料。获得超高硬度金刚石复合材料，最佳硬度可达36 GPa。该方法烧结压力低，100 MPa烧结压力为常规金刚石制备压力（5GPa以上）的2%，该方法制备的金刚石复合材料致密度高、硬度高。

公开(公告)号：CN105753476A

公开(公告)日：2016-07-13

申请号：CN201610086552.8

申请日：2016-02-16

Applicant: 武汉理工大学

Inventor： 贺振华 ,  周建 ,  後藤孝

IPC: C04B35/52 ,  C04B35/645 ,  C04B35/628

CPC classification number: C04B35/52 ,  C04B35/62839 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3826 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5454

Abstract: 本发明涉及一种金刚石复合材料的制备方法。采用放电等离子烧结制备超高硬度金刚石复合材料的方法，其特征是它包括如下步骤：(1)粉体表面修饰；在金刚石粉体表面沉积包覆0.1～50纳米厚度的碳化硅薄膜；(2)干燥；(3)加入烧结助剂：与非晶态二氧化硅粉体混合，研磨，得到复合粉体；(4)放电等离子烧结：在30～100 MPa烧结压力下，温度1400～1700℃下，放电等离子烧结10～30分钟，得到复合材料；(5)脱模抛光，获得超高硬度金刚石复合材料。获得超高硬度金刚石复合材料，最佳硬度可达36 GPa。该方法烧结压力低，100 MPa烧结压力为常规金刚石制备压力（5GPa以上）的2%，该方法制备的金刚石复合材料致密度高、硬度高。

公开(公告)号：CN103668126A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310619782.2

申请日：2013-11-29

Applicant: 武汉理工大学

Inventor： 涂溶 ,  後藤孝 ,  章嵩 ,  张联盟

IPC: C23C16/48

Abstract: 本发明公开了一种激光化学气相沉积装置，包括沉积腔以及设于沉积腔内的基板座，基板座上设有基板，基板座上方设有喷头，喷头通过管道分别输入载流气和原料气，沉积腔下部设有泵，所述的沉积腔上部设有第一光学窗口，第一光学窗口外设有用于调整激光光斑能量分布与光斑大小的光学扩束系统，光学扩束系统通过光纤连接连续激光器；本发明将连续激光引入CVD的沉积腔体，直接照射基板表面，以加快材料生长速度，连续激光由激光器射出后，经光学扩束系统整形成具有能量超高斯分布的光斑，直接以激光用材料的生长提供能量，材料的生长速度高于传统CVD技术1－4个数量级，设备结构较之于传统CVD简单，能够生产直径大于100毫米的材料。

公开(公告)号：CN103668112A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310619950.8

申请日：2013-11-29

Applicant: 武汉理工大学

Inventor： 涂溶 ,  後藤孝 ,  章嵩 ,  张联盟

IPC: C23C16/44

Abstract: 本发明公开了一种粉末旋转化学气相沉积装置，包括支架以及固定在支架上的炉管，炉管外环绕有主电炉，炉管两端分别连接有原料气进气装置、载流气进气装置和废气处理装置，炉管内设置有活动转轴，转轴上固定有圆柱形的反应腔，反应腔设有从内壁面往轴心侧延伸的多个搅拌刀片用于搅拌粉末基底，转轴内设有多个热电偶；本发明的反应腔在镀膜过程中保持旋转，并且通过搅拌刀片带动粉体原料连续翻动，不仅保证粉体表面镀膜均匀，而且可以通过控制旋转周期等工艺参数控制镀膜厚度，可实现在任意尺寸粉体表面的镀膜，而且适用于包括金属、非金属和陶瓷粉体在内的所有无机物镀膜。