一种基于第一性原理提高氧化镓氢气传感的方法

    公开(公告)号:CN119757664A

    公开(公告)日:2025-04-04

    申请号:CN202510097760.7

    申请日:2025-01-22

    Abstract: 本发明公开了一种基于第一性原理提高氧化镓氢气传感的方法,包括如下步骤:S1.构建实验晶面的超胞模型,S2.构建H2吸附活化前的晶体结构模型,S3.吸附活化测试,S4.比较晶体结构模型在H2吸附活化前后的电子结构与物理参数的前后差异,并判断H2传感响应差异,从而提高氧化镓的氢气传感效果。本发明的一种基于第一性原理提高氧化镓氢气传感的方法采用第一性原理计算,可从原子和电子尺度揭示β‑Ga2O3材料对H2的吸附与活化的具体机理,明确了β‑Ga2O3化学活性晶面,解决目前氧化镓材料应用在中高温H2传感中晶面活性机理不明确的问题,有效的给予中高温H2传感理论指导。

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