一种具有OER电催化活性NiO中空微球及其制备方法

    公开(公告)号:CN116812995A

    公开(公告)日:2023-09-29

    申请号:CN202310832705.9

    申请日:2023-07-08

    Abstract: 本发明公开了一种具有OER电催化活性的NiO中空微球采用Mist‑CVD法制备且平均直径小于1.5µm。本发明还公开了一种具有OER电催化活性的NiO中空微球的制备方法,通过将镍盐、乙醇胺络合剂(ETA)溶于去离子水中配制成混合前驱体溶液,并使用Mist‑CVD法进行制备,获得具有OER电催化活性的NiO中空微球。本发明的一种具有OER电催化活性的NiO中空微球及其制备方法以镍盐和乙醇胺络合剂(ETA)为混合前驱体,采用Mist‑CVD法制备出高OER活性的NiO中空微球,该方法具有工艺简便、原料成本低、可大批量生产以及对环境相对友好等优势。

    一种具有OER催化活性的Ni@NiO@C纳米粒子制备方法

    公开(公告)号:CN115261884A

    公开(公告)日:2022-11-01

    申请号:CN202210706359.5

    申请日:2022-06-21

    Abstract: 本发明公开了一种具有OER催化活性的Ni@NiO@C纳米粒子制备方法,通过一步化学气相沉积法实现Ni、NiO、C的三层包覆结构材料的制备,并通过控制反应压强、反应温度以及输入气体的流量调控Ni含量和碳层厚度,从而获得了性能优异且稳定的OER催化剂。本发明的一种具有OER催化活性的Ni@NiO@C纳米粒子制备方法采用一步化学气相沉积法制备NiO基催化剂,其粒径小于30nm,增加了电催化活性位点,将NiO与Ni、C复合提高了导电性,从而提高了NiO的催化活性,获得的成品外层包裹碳层,使得样品具有良好的稳定性,且最终产物纯度高,后处理过程简单,整体制备过程简单,操作方便,粉体粒径大小可控,可连续加料,易于连续生产。

    一种四方相氧化锆纳米粉体的制备方法

    公开(公告)号:CN115259218A

    公开(公告)日:2022-11-01

    申请号:CN202211078699.4

    申请日:2022-09-05

    Abstract: 本发明公开了一种四方相氧化锆纳米粉体的制备方法通过采用液相等离子体方法在室温下进行,避免了常规粉体制备中的高温烧结、球磨等复杂工艺处理过程,粉体分散性好,不存在烧结过程中的硬团聚现象。在实施过程中,采用高压脉冲信号在电极间形成高能等离子体,并结合低温溶液的快速淬灭作用,获得室温下可稳定存在的四方相氧化锆纳米粉体,改善粉体的结构和性能。基于该方法合成的四方相氧化锆纳米粉体在先进功能陶瓷材料与器件等领域中将具有广阔应用前景。

    一种大尺寸二维碘化铋单晶的制备方法

    公开(公告)号:CN113652739A

    公开(公告)日:2021-11-16

    申请号:CN202110969002.1

    申请日:2021-08-23

    Abstract: 本发明公开了一种大尺寸二维碘化铋单晶的制备方法,包括如下步骤:S1,将碘化铋粉末放置到设有一端开口的刚玉舟内,再将氟金云母基板倒扣在刚;S3,往管式炉中通入氩气与氢气,对气化的碘化铋进行稀释并进行还原反应;S4,在反应结束后,将气相陷阱移动至管式炉末端的加热带处进行降温,在降温过程中,使刚玉舟内的气体在氟金云母基板上沉积形成附着;S5,待气相陷阱完全冷却后,获得二维碘化铋单晶。本发明的本发明公开一种大尺寸二维碘化铋单晶的制备方法,解决了现有方法制得的碘化铋单晶尺寸较小且厚度不可控的问题,整体制备工艺简单、操作方便、可重复性好,通过控制降温速率,得到不同厚度和尺寸的二维单晶碘化铋。

    一种介电常数宽温稳定的钛酸钡基介电陶瓷及其制备方法

    公开(公告)号:CN113603478A

    公开(公告)日:2021-11-05

    申请号:CN202110950743.5

    申请日:2021-08-18

    Abstract: 本发明公开了一种介电常数宽温稳定的钛酸钡基介电陶瓷,该介电陶瓷由基质组分和掺杂组分组成,基质组分的化学分子式为(1‑x)BaTi1‑yCayO3‑y‑xBi(Mg0.5Ti0.5)O3,x=0.1~0.3,y=0.04~0.05,掺杂组分的化学分子式为zNb2O5,z为以重量计为基质组分的1%~3%。本发明还提供了一种制备上述介电常数宽温稳定的钛酸钡基介电陶瓷的制备方法。本发明利用Ca2+的B位掺杂和Nb2O5两者的共同掺杂的作用,使得Bi(Mg1/2Ti1/2)O3‑BaTiO3体系具有高介电常数,且其低温段性能得到了很好的改善,拥有了宽的温度稳定性范围,也达到了X8R型电容器的要求,所得介电陶瓷有望作为陶瓷材料应用于新一代环境友好的介电常数宽温稳定的陶瓷。

    一种四方相氧化锆纳米粉体的制备方法

    公开(公告)号:CN115259218B

    公开(公告)日:2024-04-05

    申请号:CN202211078699.4

    申请日:2022-09-05

    Abstract: 本发明公开了一种四方相氧化锆纳米粉体的制备方法通过采用液相等离子体方法在室温下进行,避免了常规粉体制备中的高温烧结、球磨等复杂工艺处理过程,粉体分散性好,不存在烧结过程中的硬团聚现象。在实施过程中,采用高压脉冲信号在电极间形成高能等离子体,并结合低温溶液的快速淬灭作用,获得室温下可稳定存在的四方相氧化锆纳米粉体,改善粉体的结构和性能。基于该方法合成的四方相氧化锆纳米粉体在先进功能陶瓷材料与器件等领域中将具有广阔应用前景。

    一种用于轻气炮加载实验的可见光校靶装置及其校靶方法

    公开(公告)号:CN114593886A

    公开(公告)日:2022-06-07

    申请号:CN202210249592.5

    申请日:2022-03-14

    Abstract: 本发明公开了一种用于轻气炮加载实验的可见光校靶装置,包括轻气炮的炮管以及与所述炮管相匹配的靶板,所述靶板上设有样品盒,所述靶板上还设有调校机构与指示机构,所述调校机构连接所述靶板与所述样品盒,所述指示机构包括激光器与校靶弹托,所述激光器置于所述样品盒中心处,所述校靶弹托装载在所述炮管内,所述激光器与所述校靶弹托相匹配。本发明还公开了一种用于上述可见光校靶装置的校靶方法。本发明的一种用于轻气炮加载实验的可见光校靶装置及其校靶方法取代机械校靶棒,从而使校靶工作更为简单,实际操作便捷,并且使校靶精度与校靶效率得到巨大提升。

    一种CVD石墨烯生长过程中的同步掺杂方法

    公开(公告)号:CN114540945A

    公开(公告)日:2022-05-27

    申请号:CN202210086116.6

    申请日:2022-01-25

    Abstract: 本发明公开了一种CVD石墨烯生长过程中的同步掺杂方法,通过在铜箔表面进行掺杂元素沉积,在铜箔表面形成掺杂元素薄膜,经过高温退火后获得质地均匀的铜合金箔作为基板;使用常压化学气相沉积方法,将基板放入常压CVD生长炉中,随后通入保护气体,使常压CVD生长炉的反应区处于保护气氛中,对常压CVD生长炉进行升温,将反应区的温度提升到反应温度后,通入反应气体,使反应气体中C元素在基板上逐渐沉积生长,从而获得掺杂石墨烯。本发明的一种CVD石墨烯生长过程中的同步掺杂方法以铜箔和掺杂元素形成的合金箔作为基底生长石墨烯,实现在单晶石墨烯生长过程中的同步掺杂,获得晶格掺杂的单晶石墨烯,整体方法简单,控制方便,重复性好。

Patent Agency Ranking