公开(公告)号：CN115652416A

公开(公告)日：2023-01-31

申请号：CN202211273241.4

申请日：2022-10-18

Applicant: 化学与精细化工广东省实验室潮州分中心

Inventor： 吉祥 ,  石大林 ,  罗国强 ,  涂溶

IPC: C30B23/02 ,  C30B29/26 ,  C30B33/04 ,  C30B33/02 ,  C23C14/08 ,  C23C14/35 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明涉及一种利用等离子场活化辅助制备铁酸钴外延薄膜的方法，包括如下步骤：首先，通过磁控溅射技术沉积CFO前躯膜；其次，将CFO前躯膜放入PECVD真空退火炉中，进行真空等离子场活化；最后，分别在Ar气氛以及O2气氛下进行高温退火处理；退火完毕后，取出炉中的产物，得到CFO外延薄膜。本发明克服了现有CFO外延薄膜制备方法存在的制备周期长、薄膜尺寸受限、退火时间长、结晶程度不高、残留氧空位等问题，具有缩短制备周期、提高薄膜表面活性的优势，且产品具有尺寸大、外延择优取向、结晶程度高、消除氧空位等优点，可进一步提升CFO外延薄膜的性能。