公开(公告)号：CN112219287B

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN201980034576.0

申请日：2019-04-01

Applicant: 加利福尼亚大学董事会

Inventor： T.卡米卡瓦 ,  S.甘德罗图拉 ,  H.李

IPC: H10H20/817 ,  H01L21/02 ,  H10H20/01 ,  H10H20/81

Abstract: 一种制造半导体器件的方法，包括：在III族氮化物衬底上或上方形成生长限制掩模，以及使用该生长限制掩模在III族氮化物衬底上生长一个或多个岛状III族氮化物半导体层。III族氮化物衬底具有大于0.1度的离轴取向的平面内分布；并且m平面取向的结晶表面平面的离轴取向朝向c平面为约+28度至约‑47度。岛状III族氮化物半导体层具有至少一个长边和短边，其中长边垂直于岛状III族氮化物半导体层的a轴。岛状III族氮化物半导体层不与相邻的岛状III族氮化物半导体层聚结。

公开(公告)号：CN112204754B

公开(公告)日：2024-08-13

申请号：CN201980036554.8

申请日：2019-05-30

Applicant: 加利福尼亚大学董事会

Inventor： S.甘德罗图拉 ,  T.卡米卡瓦

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/786

Abstract: 一种使用剥离技术通过贴附膜从衬底移除半导体层的方法，特别是从基于III族氮化物的衬底移除基于III族氮化物的半导体层的方法。该方法包括经由外延横向过度生长法在衬底上将半导体层形成为岛状图案，其中水平沟槽从层的侧面向内延伸。通过升高或降低温度并向贴附膜施加压力，在层中引入应力，使得膜牢固地适合层的形状。衬底与贴附到层的膜之间的热膨胀的差异在层与衬底之间的界面处引发开裂，使得可以从衬底移除层。一旦移除层，就可以回收衬底，从而节省器件制造成本。

公开(公告)号：CN112219287A

公开(公告)日：2021-01-12

申请号：CN201980034576.0

申请日：2019-04-01

Applicant: 加利福尼亚大学董事会

Inventor： T.卡米卡瓦 ,  S.甘德罗图拉 ,  H.李

IPC: H01L33/16 ,  H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L33/00 ,  H01L33/02

Abstract: 一种制造半导体器件的方法，包括：在III族氮化物衬底上或上方形成生长限制掩模，以及使用该生长限制掩模在III族氮化物衬底上生长一个或多个岛状III族氮化物半导体层。III族氮化物衬底具有大于0.1度的离轴取向的平面内分布；并且m平面取向的结晶表面平面的离轴取向朝向c平面为约+28度至约‑47度。岛状III族氮化物半导体层具有至少一个长边和短边，其中长边垂直于岛状III族氮化物半导体层的a轴。岛状III族氮化物半导体层不与相邻的岛状III族氮化物半导体层聚结。

公开(公告)号：CN112204754A

公开(公告)日：2021-01-08

申请号：CN201980036554.8

申请日：2019-05-30

Applicant: 加利福尼亚大学董事会

Inventor： S.甘德罗图拉 ,  T.卡米卡瓦

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/786

Abstract: 一种使用剥离技术通过贴附膜从衬底移除半导体层的方法，特别是从基于III族氮化物的衬底移除基于III族氮化物的半导体层的方法。该方法包括经由外延横向过度生长法在衬底上将半导体层形成为岛状图案，其中水平沟槽从层的侧面向内延伸。通过升高或降低温度并向贴附膜施加压力，在层中引入应力，使得膜牢固地适合层的形状。衬底与贴附到层的膜之间的热膨胀的差异在层与衬底之间的界面处引发开裂，使得可以从衬底移除层。一旦移除层，就可以回收衬底，从而节省器件制造成本。