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公开(公告)号：CN113767452B
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202080033069.8
申请日：2020-03-12
Applicant: 加利福尼亚大学董事会
Abstract: 一种使用支撑板从衬底移除装置的方法。由半导体层构成的一个或多个条形成在衬底上，并且一个或多个装置结构形成在条上。至少一个支撑板接合到条，并且将应力施加到支撑板以将条从衬底移除。支撑板用于在条被从衬底移除之后将条划分为一个或多个装置单元，其中装置单元被封装并布置为一个或多个模块。支撑板还可以用于在将条从衬底移除之后制造装置结构中的一个或多个的劈裂分面。
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公开(公告)号：CN112219287B
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN201980034576.0
申请日：2019-04-01
Applicant: 加利福尼亚大学董事会
IPC: H10H20/817 , H01L21/02 , H10H20/01 , H10H20/81
Abstract: 一种制造半导体器件的方法，包括：在III族氮化物衬底上或上方形成生长限制掩模，以及使用该生长限制掩模在III族氮化物衬底上生长一个或多个岛状III族氮化物半导体层。III族氮化物衬底具有大于0.1度的离轴取向的平面内分布；并且m平面取向的结晶表面平面的离轴取向朝向c平面为约+28度至约‑47度。岛状III族氮化物半导体层具有至少一个长边和短边，其中长边垂直于岛状III族氮化物半导体层的a轴。岛状III族氮化物半导体层不与相邻的岛状III族氮化物半导体层聚结。
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公开(公告)号：CN112154533B
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN201980032981.9
申请日：2019-05-17
Applicant: 加利福尼亚大学董事会
IPC: H01L21/02 , H01L21/306 , H01L21/311
Abstract: 一种划分一个或多个装置的条的方法。条由使用生长限制掩模生长在衬底上的岛状的基于第III族氮化物的半导体层构成；使用外延侧向过生长(ELO)方法从衬底移除岛状的基于第III族氮化物的半导体层；并且然后使用劈裂方法将该条划分为一个或多个装置。
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公开(公告)号：CN113439322A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202080014791.7
申请日：2020-01-16
Applicant: 加利福尼亚大学董事会
Abstract: 在基板的开口区域上生长外延横向过生长(ELO)层，其中ELO层高于基板中的沟槽的表面。沟槽易于形成ELO层的对称形状，这使得其适用于倒装芯片接合。ELO层的形状在由ELO层形成的条的背面具有凹陷的表面区域。劈裂点位于比ELO层的底部更高的位置，使得可以有效地向劈裂点施加力以移除条。
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公开(公告)号：CN113287205A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN201980087480.0
申请日：2019-10-31
Applicant: 加利福尼亚大学董事会
Abstract: 一种用于以外延横向过生长获得epi层的平滑表面的方法。该方法不使用错切的取向，也不抑制椎体形小丘的出现，而是将椎体形小丘嵌入epi层中。生长限制掩模用于限制椎体形小丘在横向方向上的扩展。由于椎体形小丘的消失，epi层的表面变得极为平滑。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112204754B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN201980036554.8
申请日：2019-05-30
Applicant: 加利福尼亚大学董事会
IPC: H01L29/78 , H01L29/786
Abstract: 一种使用剥离技术通过贴附膜从衬底移除半导体层的方法，特别是从基于III族氮化物的衬底移除基于III族氮化物的半导体层的方法。该方法包括经由外延横向过度生长法在衬底上将半导体层形成为岛状图案，其中水平沟槽从层的侧面向内延伸。通过升高或降低温度并向贴附膜施加压力，在层中引入应力，使得膜牢固地适合层的形状。衬底与贴附到层的膜之间的热膨胀的差异在层与衬底之间的界面处引发开裂，使得可以从衬底移除层。一旦移除层，就可以回收衬底，从而节省器件制造成本。
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公开(公告)号：CN114830296A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202080087526.1
申请日：2020-10-23
Applicant: 加利福尼亚大学董事会
IPC: H01L21/02 , H01L21/306 , H01L21/311
Abstract: 一种使用外延横向过度生长(ELO)为诸如垂直腔表面发射激光器(VCSEL)的发光元件制造高质量且可制造的孔的方法。使用生长限制掩模在衬底上生长包括岛状III族氮化物半导体层的条，以及将岛状III族氮化物半导体层制造成横跨条的最小长度的发光谐振腔。谐振腔的孔也沿着外延横向过度生长的翼区域上的条的最小长度制造。分布式布拉格反射器(DBR)被制造为外延横向过度生长的翼区域的底部和顶部上的谐振腔的反射镜。
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公开(公告)号：CN112154533A
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN201980032981.9
申请日：2019-05-17
Applicant: 加利福尼亚大学董事会
IPC: H01L21/02 , H01L21/306 , H01L21/311
Abstract: 一种划分一个或多个装置的条的方法。条由使用生长限制掩模生长在衬底上的岛状的基于第III族氮化物的半导体层构成；使用外延侧向过生长(ELO)方法从衬底移除岛状的基于第III族氮化物的半导体层；并且然后使用劈裂方法将该条划分为一个或多个装置。
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公开(公告)号：CN113287205B
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN201980087480.0
申请日：2019-10-31
Applicant: 加利福尼亚大学董事会
Abstract: 一种用于以外延横向过生长获得epi层的平滑表面的方法。该方法不使用错切的取向，也不抑制椎体形小丘的出现，而是将椎体形小丘嵌入epi层中。生长限制掩模用于限制椎体形小丘在横向方向上的扩展。由于椎体形小丘的消失，epi层的表面变得极为平滑。
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公开(公告)号：CN113826188A
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202080033631.7
申请日：2020-03-13
Applicant: 加利福尼亚大学董事会
IPC: H01L21/02 , H01L21/306 , H01L21/311
Abstract: 外延横向过生长(ELO)III族氮化物层在沉积在基板上的生长限制掩模的开口区域上或上方生长，其中ELO III族氮化物层和/或随后再生长层的生长形成一个或多个空隙。III族氮化物器件层生长在ELO III族氮化物层和/或再生长层上或上方。将应力施加到基板处的断裂点，其中空隙有助于施加应力，使得从基板移除由III族氮化物器件层、ELO III族氮化物层和再生长层构成的器件的条。空隙从生长限制掩模释放应力，这有助于防止裂缝。避免生长限制掩模的分解以防止p型层的补偿。
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