公开(公告)号：CN111415933A

公开(公告)日：2020-07-14

申请号：CN201910079079.4

申请日：2019-01-28

Applicant: 力晶科技股份有限公司

Inventor： 廖宏魁 ,  刘振强 ,  时国昇 ,  施咏尧 ,  徐铭聪

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 本发明公开一种半导体元件及其制造方法，该半导体元件包括基底、隔离结构、阻障结构、第一导体层、第二导体层、第一栅介电层以及第二栅介电层。基底具有第一区与第二区。阻障结构位于隔离结构上。第一导体层位于第一区上。第二导体层位于第二区上。第一栅介电层位于第一导体层与第一区的基底之间。第二栅介电层位于第二导体层与第二区的基底之间。隔离结构分隔第一栅介电层与第二栅介电层。

公开(公告)号：CN111463167A

公开(公告)日：2020-07-28

申请号：CN201910096741.7

申请日：2019-01-31

Applicant: 力晶科技股份有限公司

Inventor： 廖宏魁 ,  刘振强 ,  时国昇 ,  施咏尧 ,  徐铭聪

IPC: H01L21/764 ,  H01L21/768 ,  H01L27/11548

Abstract: 本发明公开一种半导体元件及其制造方法，其中该半导体元件的制造方法包括：在一半导体基底上形成多条闪存存储器结构，每个所述闪存存储器结构包括形成于所述半导体基底上的浮置栅极以及形成于所述浮置栅极上的控制栅极；在所述多条闪存存储器结构之间形成至少一假接触窗；在所述假接触窗的表面共形地形成一衬层；在所述半导体基底上全面地形成一内层介电层，以覆盖所述假接触窗，并于所述假接触窗与所述闪存存储器结构之间形成至少一空气间隙；平坦化所述内层介电层，直到露出所述假接触窗的顶部；移除所述假接触窗，以形成接触窗开口；以及于所述接触窗开口内形成导电材料。

公开(公告)号：CN111435680A

公开(公告)日：2020-07-21

申请号：CN201910113794.5

申请日：2019-02-14

Applicant: 力晶科技股份有限公司

Inventor： 蔡依敏 ,  廖宏魁 ,  刘振强 ,  施咏尧 ,  何政宇 ,  李惠民

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开一种阶梯式元件及其制造方法，其中该阶梯式元件包括基底。位于主动区中的基底具有阶梯式结构。阶梯式结构的高度在通道宽度方向上从主动区的一端至另一端逐步降低。

公开(公告)号：CN111261706A

公开(公告)日：2020-06-09

申请号：CN201811557539.1

申请日：2018-12-19

Applicant: 力晶科技股份有限公司

Inventor： 刘振强 ,  许正源 ,  宋达

IPC: H01L29/423 ,  H01L27/11521 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明公开一种存储器结构及其制造方法，其中该存储器结构包括至少二浮置栅极、二硬掩模条、一抹除栅极以及二选择栅极。至少二浮置栅极配置于基底上。二硬掩模条分别配置于浮置栅极上方，并裸露出部分浮置栅极。浮置栅极的裸露部分彼此面对。抹除栅极配置于浮置栅极之间的基底上。二选择栅极配置于浮置栅极外侧的基底上。

公开(公告)号：CN111009529A

公开(公告)日：2020-04-14

申请号：CN201811220344.8

申请日：2018-10-19

Applicant: 力晶科技股份有限公司

Inventor： 王俊扬 ,  廖宏魁 ,  刘振强 ,  何政宇

IPC: H01L27/11568 ,  H01L27/11582 ,  H01L21/762

Abstract: 本发明公开一种非挥发性存储器结构及其制造方法，其中该非挥发性存储器结构的制造方法包括：在基底内形成瓶状沟槽，其中所述瓶状沟槽具有邻接所述基底表面的颈部与连接所述颈部的瓶身部，所述颈部的宽度小于所述瓶身部的宽度；进行第一离子注入制作工艺，以于所述瓶身部的底部的所述基底内形成源极区；在所述瓶状沟槽的内表面形成电荷存储层；在所述瓶状沟槽内形成瓶状栅极；以及进行第二离子注入制作工艺，以于所述颈部旁的所述基底内形成漏极区。

公开(公告)号：CN111326516A

公开(公告)日：2020-06-23

申请号：CN201811632865.4

申请日：2018-12-29

Applicant: 力晶科技股份有限公司

Inventor： 张哲玮 ,  王俊扬 ,  廖宏魁 ,  刘振强 ,  施咏尧

IPC: H01L27/11521 ,  H01L29/423 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明公开一种非挥发性存储器结构及其制造方法，其中该非挥发性存储器结构包括基底、选择栅极、第一电荷存储层、控制栅极与第一介电层。在基底中具有沿着第一方向延伸的沟槽。选择栅极设置在沟槽中。第一电荷存储层设置在沟槽的侧壁上。第一电荷存储层具有彼此相对的第一侧面与第二侧面。第一侧面与第二侧面在第一方向上排列。控制栅极设置在沟槽中的选择栅极与第一电荷存储层上。控制栅极覆盖第一侧面与第二侧面。第一介电层设置在控制栅极与第一电荷存储层之间。