公开(公告)号：CN103135362A

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201210599017.4

申请日：2012-11-21

Applicant: 信越化学工业株式会社 ,  凸版印刷株式会社

Inventor： 吉川博树 ,  稻月判臣 ,  小板桥龙二 ,  金子英雄 ,  小岛洋介 ,  原口崇 ,  广濑智一

IPC: G03F7/20 ,  G03F1/32 ,  G03F1/72

CPC classification number: G03F1/00 ,  G03F1/32 ,  G03F1/60

Abstract: 本发明涉及一种光图案曝光方法，光掩模及光掩模坯料。光图案曝光方法是通过光掩模向抗蚀膜照射ArF准分子激光。光掩模包括透明衬底和包含过渡金属、硅、氮和氧的材料的光学膜的图案，过渡金属、硅、氮和氧的含量在特定范围内。光掩模可被ArF准分子激光以至少10kJ/cm2的累积剂量照射过。

公开(公告)号：CN104698737B

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201510140000.6

申请日：2011-09-09

Applicant: 信越化学工业株式会社 ,  凸版印刷株式会社

Inventor： 吉川博树 ,  稻月判臣 ,  小板桥龙二 ,  金子英雄 ,  原口崇 ,  小岛洋介 ,  广濑智一

IPC: G03F1/32 ,  G03F1/48 ,  G03F1/50 ,  G03F1/72

Abstract: 本发明涉及一种光掩模坯料和制造方法、光掩模、光图案曝光方法和过渡金属/硅基材料膜的设计方法。本发明特别涉及一种光掩模坯料，其具有过渡金属/硅基材料的膜，该过渡金属/硅基材料包含过渡金属、硅、氧和氮，具有至少3原子％的氧含量，并满足式：4×CSi/100‑6×CM/100>1，其中CSi是以原子％计的硅含量和CM是以原子％计的过渡金属含量。

公开(公告)号：CN102402117B

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：CN201110348752.3

申请日：2011-09-09

Applicant: 信越化学工业株式会社 ,  凸版印刷株式会社

Inventor： 吉川博树 ,  稻月判臣 ,  小板桥龙二 ,  金子英雄 ,  原口崇 ,  小岛洋介 ,  广濑智一

IPC: G03F1/50 ,  G03F1/32 ,  G03F1/72 ,  G03F1/48

CPC classification number: G03F1/72 ,  G03F1/32 ,  G03F1/48 ,  G03F1/50

Abstract: 本发明涉及一种光掩模坯料和制造方法、光掩模、光图案曝光方法和过渡金属/硅基材料膜的设计方法。本发明特别涉及一种光掩模坯料，其具有过渡金属/硅基材料的膜，该过渡金属/硅基材料包含过渡金属、硅、氧和氮，具有至少3原子％的氧含量，并满足式：4×CSi/100-6×CM/100＞1，其中CSi是以原子％计的硅含量和CM是以原子％计的过渡金属含量。

公开(公告)号：CN103135362B

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201210599017.4

申请日：2012-11-21

Applicant: 信越化学工业株式会社 ,  凸版印刷株式会社

Inventor： 吉川博树 ,  稻月判臣 ,  小板桥龙二 ,  金子英雄 ,  小岛洋介 ,  原口崇 ,  广濑智一

IPC: G03F7/20 ,  G03F1/32 ,  G03F1/72

CPC classification number: G03F1/00 ,  G03F1/32 ,  G03F1/60

Abstract: 本发明涉及一种光图案曝光方法，光掩模及光掩模坯料。光图案曝光方法是通过光掩模向抗蚀膜照射ArF准分子激光。光掩模包括透明衬底和包含过渡金属、硅、氮和氧的材料的光学膜的图案，过渡金属、硅、氮和氧的含量在特定范围内。光掩模可被ArF准分子激光以至少10kJ/cm2的累积剂量照射过。

公开(公告)号：CN103149791B

公开(公告)日：2017-11-14

申请号：CN201210599085.0

申请日：2012-11-21

Applicant: 信越化学工业株式会社 ,  凸版印刷株式会社

Inventor： 吉川博树 ,  稻月判臣 ,  小板桥龙二 ,  金子英雄 ,  小岛洋介 ,  原口崇 ,  广濑智一

IPC: G03F1/32 ,  G03F1/80 ,  G03F1/72 ,  G03F1/78 ,  G03F7/20

CPC classification number: G03F1/32 ,  G03F1/26

Abstract: 本发明涉及一种光图案曝光方法，半色调相移掩模及半色调相移掩模坯料。光图案曝光方法是通过半色调相移掩模向抗蚀膜照射ArF准分子激光。该掩模包括透明衬底和包含过渡金属、硅、氮和氧的材料的半色调相移膜的图案，且所述材具有0.18‑0.25的原子比(Met/Si)，25‑50原子％的氮含量，以及5‑20原子％的氧含量。该掩模可用ArF准分子激光以至少10kJ/cm2的累积剂量照射。

公开(公告)号：CN102656516B

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201080056696.X

申请日：2010-12-03

Applicant: 凸版印刷株式会社 ,  信越化学工业株式会社

Inventor： 小岛洋介 ,  吉川博树 ,  稻月判臣 ,  小板桥龙二

IPC: G03F1/56 ,  G03F1/80 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F1/30 ,  G03F1/32 ,  G03F1/80

Abstract: 在含有铬、在氟类干式蚀刻中不受到实质性的蚀刻并且在含氧氯类干式蚀刻中能够蚀刻的遮光膜（13）之上，层叠不含有铬、在氟类干式蚀刻且含氧氯类干式蚀刻中能够蚀刻的膜（14）。

公开(公告)号：CN104698737A

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201510140000.6

申请日：2011-09-09

Applicant: 信越化学工业株式会社 ,  凸版印刷株式会社

Inventor： 吉川博树 ,  稻月判臣 ,  小板桥龙二 ,  金子英雄 ,  原口崇 ,  小岛洋介 ,  广濑智一

IPC: G03F1/32 ,  G03F1/48 ,  G03F1/50 ,  G03F1/72

CPC classification number: G03F1/72 ,  G03F1/32 ,  G03F1/48 ,  G03F1/50

Abstract: 本发明涉及一种光掩模坯料和制造方法、光掩模、光图案曝光方法和过渡金属/硅基材料膜的设计方法。本发明特别涉及一种光掩模坯料，其具有过渡金属/硅基材料的膜，该过渡金属/硅基材料包含过渡金属、硅、氧和氮，具有至少3原子％的氧含量，并满足式：4×CSi/100-6×CM/100>1，其中CSi是以原子％计的硅含量和CM是以原子％计的过渡金属含量。

公开(公告)号：CN103149791A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201210599085.0

申请日：2012-11-21

Applicant: 信越化学工业株式会社 ,  凸版印刷株式会社

Inventor： 吉川博树 ,  稻月判臣 ,  小板桥龙二 ,  金子英雄 ,  小岛洋介 ,  原口崇 ,  广濑智一

IPC: G03F1/32 ,  G03F1/80 ,  G03F1/72 ,  G03F1/78 ,  G03F7/20

CPC classification number: G03F1/32 ,  G03F1/26

Abstract: 本发明涉及一种光图案曝光方法，半色调相移掩模及半色调相移掩模坯料。光图案曝光方法是通过半色调相移掩模向抗蚀膜照射ArF准分子激光。该掩模包括透明衬底和包含过渡金属、硅、氮和氧的材料的半色调相移膜的图案，且所述材具有0.18-0.25的原子比(Met/Si)，25-50原子％的氮含量，以及5-20原子％的氧含量。该掩模可用ArF准分子激光以至少10kJ/cm2的累积剂量照射。

公开(公告)号：CN102656516A

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN201080056696.X

申请日：2010-12-03

Applicant: 凸版印刷株式会社 ,  信越化学工业株式会社

Inventor： 小岛洋介 ,  吉川博树 ,  稻月判臣 ,  小板桥龙二

IPC: G03F1/56 ,  G03F1/80 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F1/30 ,  G03F1/32 ,  G03F1/80

Abstract: 在含有铬、在氟类干式蚀刻中不受到实质性的蚀刻并且在含氧氯类干式蚀刻中能够蚀刻的遮光膜（13）之上，层叠不含有铬、在氟类干式蚀刻且含氧氯类干式蚀刻中能够蚀刻的膜（14）。

公开(公告)号：CN102402117A

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：CN201110348752.3

申请日：2011-09-09

Applicant: 信越化学工业株式会社 ,  凸版印刷株式会社

Inventor： 吉川博树 ,  稻月判臣 ,  小板桥龙二 ,  金子英雄 ,  原口崇 ,  小岛洋介 ,  广濑智一

IPC: G03F1/00 ,  G03F1/82 ,  G03F1/32

CPC classification number: G03F1/72 ,  G03F1/32 ,  G03F1/48 ,  G03F1/50

Abstract: 本发明涉及一种光掩模坯料和制造方法、光掩模、光图案曝光方法和过渡金属/硅基材料膜的设计方法。本发明特别涉及一种光掩模坯料，其具有过渡金属/硅基材料的膜，该过渡金属/硅基材料包含过渡金属、硅、氧和氮，具有至少3原子％的氧含量，并满足式：4×CSi/100-6×CM/100＞1，其中CSi是以原子％计的硅含量和CM是以原子％计的过渡金属含量。