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公开(公告)号：CN111257316A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN202010087431.1
申请日：2020-02-11
Applicant: 军事科学院系统工程研究院卫勤保障技术研究所 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种便携式纳米检测仪，其包括：纳米传感装置，设有用于与样品溶液中靶分子结合产生变化电信号的纳米传感器；所述纳米传感装置设在暗室内；信号处理及采集模块，与纳米传感器电连接，将变化电信号放大处理后采集并传输给中心控制模块；中心控制模块根据预先设定的计算机程序将所述变化电信号转化成可视化检测结果，通过显示屏显示；光学校准装置，其包含设于该暗室内、能够调节光强和/或光波长的发光元件，用于在检测前对纳米传感器性能进行校验和标定。本发明可提高纳米传感器的检测抗干扰能力和结果重现性。
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公开(公告)号：CN211627517U
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN202020161738.7
申请日：2020-02-11
Applicant: 军事科学院系统工程研究院卫勤保障技术研究所 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本实用新型涉及一种便携式纳米检测装置(100)，其包括：纳米传感装置(10)，其包含纳米传感器(11)，所述纳米传感器(11)用于与样品溶液中的靶分子结合产生电信号变化；所述纳米传感装置(10)设在暗室内；发光元件(91)，设于该暗室内且能够调节光强和/或光波长，用于在检测前对纳米传感器进行校验以确认纳米传感器的可用性。本实用新型的便携式纳米检测装置提供纳米传感器提供暗室作为检测区，避免外部光线带来的干扰，并增设有发光元件，利用该发光元件对纳米传感器的可用性(是否坏掉)进行校验，为正式检测做好准备。
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公开(公告)号：CN118191066B
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410605815.6
申请日：2024-05-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N27/414 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明属于传感器技术领域，包括一种双栅硅纳米线晶体管传感器及制作方法，在SOI硅片上利用各向异性湿法腐蚀技术在顶硅层中制作出凹槽以及位于凹槽底部的硅纳米线结构，然后在硅纳米线上方制作正栅介质层及正栅电极，并通过刻蚀窗口连通至SOI硅片的底硅层制作出背栅电极，形成在凹槽底部的双栅硅纳米线晶体管传感器，当待测物质改变正栅介质层表面电势时，硅纳米线导电通道的电流会随之变化，实现待测物检测。本发明采用全集成双栅结构能够有效提升电流调控能力，提高器件的灵敏度和信噪比，且器件的主要工作结构位于凹槽底部，能有效降低传感器检测时的流速干扰，便于液体环境检测；且制作工艺兼容CMOS工艺，适合大规模、批量化生产。
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公开(公告)号：CN112951916B
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202110124217.3
申请日：2021-01-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L21/336 , B82Y40/00 , B82Y10/00
Abstract: 本发明涉及一种基于侧墙工艺的纳米空气沟道晶体管及其制备方法，从下至上包括栅极及栅极绝缘层、保护层和用于形成侧墙结构的辅助层，还包括以侧墙结构作为硬掩模或牺牲层形成的纳米空气沟道。本发明具有高密度集成的潜力，有利于纳米空气沟道晶体管自身、或与其它类型器件的高密度集成；同时也具有规模化制造潜力，有利于降低生产成本、提高生产效率，具有实用价值和实际应用前景。
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公开(公告)号：CN118191066A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410605815.6
申请日：2024-05-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N27/414 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明属于传感器技术领域，包括一种双栅硅纳米线晶体管传感器及制作方法，在SOI硅片上利用各向异性湿法腐蚀技术在顶硅层中制作出凹槽以及位于凹槽底部的硅纳米线结构，然后在硅纳米线上方制作正栅介质层及正栅电极，并通过刻蚀窗口连通至SOI硅片的底硅层制作出背栅电极，形成在凹槽底部的双栅硅纳米线晶体管传感器，当待测物质改变正栅介质层表面电势时，硅纳米线导电通道的电流会随之变化，实现待测物检测。本发明采用全集成双栅结构能够有效提升电流调控能力，提高器件的灵敏度和信噪比，且器件的主要工作结构位于凹槽底部，能有效降低传感器检测时的流速干扰，便于液体环境检测；且制作工艺兼容CMOS工艺，适合大规模、批量化生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117740178A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311769885.7
申请日：2023-12-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于SiCOI的主动激发式无线无源高温热流传感器，所述传感器由下至上依次包括：SiCOI晶圆(10)、下绝缘层(20)、下金属层(30)、上绝缘层(40)和上金属层(50)。本发明利用无线传输特性提高了测量的精确度，避开信号读取困难的同时，降低了制作成本，保留了SiC材料耐高温的特性，可实现超高温恶劣环境中热流密度的快速、准确测量。
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公开(公告)号：CN115184438A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202210990355.4
申请日：2022-08-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N27/414
Abstract: 本发明涉及一种原位监测PCR反应过程的装置及方法，装置包括依次连通的进样池、蠕动泵、微反应管道、多个串联的微反应腔和废液池，所述微反应管道的下方设置有加热装置，每个微反应腔内设置有一测试传感器。本发明的原位监测PCR反应过程的装置及方法，通过测试传感器对扩增核酸浓度进行检测，并将扩增核酸浓度变化转化为显示装置上的电信号变化，从而实现核酸扩增过程的实时监测和定量检测，灵敏度与准确度高，可应用于现场检测并实时监测检测过程，大大提高检测效率。
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公开(公告)号：CN115015152A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210760499.0
申请日：2022-06-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N21/3504 , G01N21/01
Abstract: 本发明涉及一种递进式双通道红外气体传感器，包括从上至下依次层叠的反光罩、支撑板、基座和ASIC芯片；反光罩上设有反射腔和若干透气孔；支撑板上设有第一通孔和第二通孔，其内分别嵌设有第一滤光片和两第二滤光片；基座的顶面设有红外光源和两红外探测器，红外光源位于第一滤光片的正下方，两红外探测器分别位于两第二滤光片的正下方，两红外探测器相对于红外光源递进排布；红外光源和两红外探测器与ASIC芯片电连接。本发明的递进式双通道红外气体传感器，反光罩、支撑板、基座和ASIC芯片层叠设置，从而缩小体积；反射腔为折叠式反射结构，使光程增长；红外光源和两红外探测器分布在基座两端，可隔绝红外光源对热敏元件的影响。
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公开(公告)号：CN112540105B
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202011442807.2
申请日：2020-12-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N27/12 , G01N27/414
Abstract: 本申请涉及气体传感器技术领域，本申请公开了一种用于检测有机磷化合物的气体传感器，其包括栅极绝缘结构、有机半导体层、源漏极和修饰层；该栅极绝缘结构的顶部设有该有机半导体层；该有机半导体层的顶部设有该源漏极和该修饰层；该源漏极的源极和漏极之间设有该修饰层，该修饰层的材料为杯芳烃，该修饰层用于调节该气体传感器的灵敏度和气体选择性。本申请提供的该气体传感器具有灵敏度高和对有机磷化合物选择性高的特点。
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