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公开(公告)号:CN119986884A
公开(公告)日:2025-05-13
申请号:CN202510353264.3
申请日:2025-03-25
Applicant: 内蒙古工业大学
IPC: G02B5/18
Abstract: 本发明属于纳米加工技术领域,具体公开了一种正交光栅的制备方法,包括在衬底上涂敷负性电子抗蚀剂并固化,得到带有抗蚀胶层的衬底;利用扫描电子显微镜对抗蚀胶层进行电子束曝光,扫描电子显微镜的放大倍数为2700至6700;对电子束曝光后的衬底进行显影及定影,得到频率为10000线/mm至25000线/mm的正交光栅。本发明利用扫描电子显微镜制备高频正交光栅,不需要图形发生器和掩模版,也不需要专业的电子束光刻系统,使高频正交光栅制备手段更加普遍、便利且成本较低。