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公开(公告)号：CN120043867A
公开(公告)日：2025-05-27
申请号：CN202510472651.9
申请日：2025-04-16
Applicant: 内蒙古工业大学
Abstract: 本发明属于微小尺度材料拉压疲劳检测技术领域，具体涉及一种微小尺度材料原位拉压疲劳检测方法，包括步骤一到步骤六，选取坯件，通过铣削及倒圆角，制成基底；取足量微小试样，利用粘接剂固化到基底上，形成试块；在试块外表面固定应变元件，用于监测试块的应变信号；打开原位加载台的夹具，从两端夹紧基底；启动原位加载台，实现对微小试样的拉伸、压缩或者疲劳实验；获取试块的应变数据，通过胡克定律公式计算试块所承受的加载强度。本发明以微小试样、应变元件与基底复合的形式，不需要改造或者更换原位加载台的夹具装置，仅通过原位加载台的拉伸装置实现微小试样的拉伸、压缩或者疲劳实验。
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公开(公告)号：CN119020757B
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411489122.1
申请日：2024-10-24
Applicant: 内蒙古工业大学
IPC: C23C16/505 , C23C16/52 , C23C16/455
Abstract: 本发明属于化学气相沉积技术领域，公开了一种固态源等离子体增强化学气相沉积设备及方法，设备包括：加热装置设置于真空腔室外壁并与固态源蒸发器位置对应；固态源蒸发器为封闭结构，其输气端口与气体喷淋头的中心线以及载气通气孔位于同一水平线；反应气输送装置与气体喷淋头连通；托台设置于气体喷淋头的一侧，托台的中心点与气体喷淋头的中心线位于同一水平线，且托台的倾斜面上设置有衬底；等离子体激活装置设置于真空腔室的外壁且位于固态源蒸发器上游；衬底用于接收沉积其上的呈等离子体状态的反应气体和气态分子。本发明可避免固态前驱体蒸发或升华所得气态分子与反应气体过早反应，改善了沉积生长过程中薄膜的表面平整度和晶体质量。
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公开(公告)号：CN119012711A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411488027.X
申请日：2024-10-24
Applicant: 内蒙古工业大学
Abstract: 本发明属于存储器技术领域，公开了一种纵向堆叠集成的磁性纳米点存储器结构及其制备方法，包括自下而上的衬底层、第一绝缘层、磁性纳米点层、第二绝缘层和控制栅极层；磁性纳米点层包括多个相互绝缘的磁性纳米点，每个磁性纳米点包括自下而上的钉扎层、隧穿绝缘层和自由层构成磁隧道结；控制栅极层用于控制每个磁性纳米点。本发明融合了金属量子点浮栅器件和磁性隧道结的优点，并与现有硅基技术兼容，同时利用电子自旋和电荷双重属性，将实现利用低电流密度自旋注入磁化反转的高密度集成、低功耗和高可靠性的新型非易失性存储器。为隧道磁阻器件的最终小型化和超高密度提供新的指针。
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公开(公告)号：CN117802574B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410218690.1
申请日：2024-02-28
Applicant: 内蒙古工业大学
Abstract: 本发明公开了一种畴外延生长γ‑CuI薄膜的方法及γ‑CuI薄膜，方法包括根据畴外延理论中的旋转畴匹配模型，结合γ‑CuI 晶向的旋转对称性，确定单晶衬底；利用物理气相传输法，以γ‑CuI粉末作蒸发材料，在单晶衬底上生长γ‑CuI薄膜。本发明可保证γ‑CuI薄膜在根据旋转畴匹配模型和γ‑CuI 晶向旋转对称性确定的单晶衬底上连续生长，且可减少晶界和晶格缺陷对载流子的散射作用，提高载流子迁移率。由于旋转畴在厚度方向上为单晶，对于以旋转畴外延生长的γ‑CuI基p‑n结，其整流特性会得到显著改善。本发明所用物理气相传输法可在双温区管式炉中实现，设备价格低廉、操作简单，适合工业化生产。
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公开(公告)号：CN117802574A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202410218690.1
申请日：2024-02-28
Applicant: 内蒙古工业大学
Abstract: 本发明公开了一种畴外延生长γ‑CuI薄膜的方法及γ‑CuI薄膜，方法包括根据畴外延理论中的旋转畴匹配模型，结合γ‑CuI 晶向的旋转对称性，确定单晶衬底；利用物理气相传输法，以γ‑CuI粉末作蒸发材料，在单晶衬底上生长γ‑CuI薄膜。本发明可保证γ‑CuI薄膜在根据旋转畴匹配模型和γ‑CuI 晶向旋转对称性确定的单晶衬底上连续生长，且可减少晶界和晶格缺陷对载流子的散射作用，提高载流子迁移率。由于旋转畴在厚度方向上为单晶，对于以旋转畴外延生长的γ‑CuI基p‑n结，其整流特性会得到显著改善。本发明所用物理气相传输法可在双温区管式炉中实现，设备价格低廉、操作简单，适合工业化生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119986884A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202510353264.3
申请日：2025-03-25
Applicant: 内蒙古工业大学
IPC: G02B5/18
Abstract: 本发明属于纳米加工技术领域，具体公开了一种正交光栅的制备方法，包括在衬底上涂敷负性电子抗蚀剂并固化，得到带有抗蚀胶层的衬底；利用扫描电子显微镜对抗蚀胶层进行电子束曝光，扫描电子显微镜的放大倍数为2700至6700；对电子束曝光后的衬底进行显影及定影，得到频率为10000线/mm至25000线/mm的正交光栅。本发明利用扫描电子显微镜制备高频正交光栅，不需要图形发生器和掩模版，也不需要专业的电子束光刻系统，使高频正交光栅制备手段更加普遍、便利且成本较低。
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公开(公告)号：CN114695040B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202210329055.1
申请日：2022-03-31
Applicant: 内蒙古工业大学
Abstract: 本发明公开了一种扫描电镜中的扫描透射成像装置，包括样品台、固定座、支撑框和背散射电子探头；样品台设置于支撑框顶端，用于固定待观察样品；背散射电子探头设置于固定座上，用于接收穿过待观察样品的透射散射电子；固定座设置于支撑框内，并与支撑框连接，用于调节背散射电子探头距样品台的距离。本发明使用扫描电镜自带的背散射电子探头做透射散射电子信号探测器，无需单独购买STEM附件，可大幅降低扫描电镜升级扫描透射成像功能的成本；固定座可在支撑框内上下滑动，从而改变透射散射电子接收角的大小，实现高、低角环形暗场像的采集。本发明可显著减少电子束对待观察样品的损伤，适合于耐电子束辐照性较差样品的透射分析。
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公开(公告)号：CN119012711B
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411488027.X
申请日：2024-10-24
Applicant: 内蒙古工业大学
Abstract: 本发明属于存储器技术领域，公开了一种纵向堆叠集成的磁性纳米点存储器结构及其制备方法，包括自下而上的衬底层、第一绝缘层、磁性纳米点层、第二绝缘层和控制栅极层；磁性纳米点层包括多个相互绝缘的磁性纳米点，每个磁性纳米点包括自下而上的钉扎层、隧穿绝缘层和自由层构成磁隧道结；控制栅极层用于控制每个磁性纳米点。本发明融合了金属量子点浮栅器件和磁性隧道结的优点，并与现有硅基技术兼容，同时利用电子自旋和电荷双重属性，将实现利用低电流密度自旋注入磁化反转的高密度集成、低功耗和高可靠性的新型非易失性存储器。为隧道磁阻器件的最终小型化和超高密度提供新的指针。
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公开(公告)号：CN118867059B
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411354861.X
申请日：2024-09-27
Applicant: 内蒙古工业大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/032 , H01L21/02
Abstract: 本发明属于氧化镓薄膜制备技术领域，公开了一种氧化镓异质外延薄膜的制备方法，包括：制备呈熔融状态的硫酸镓铵水合物；利用呈熔融状态的硫酸镓铵水合物制备前驱体溶液；将前驱体溶液分阶段旋涂至蓝宝石衬底上后在真空环境中退火，得到在预设晶体方向上具有优先取向的氧化镓薄膜。本发明使用硫酸镓铵水合物制备前驱体溶液，从而避免其为晶体状影响后续氧化镓薄膜的取向，进一步地，本发明采用分阶段旋涂的方式，限定所使用的衬底为蓝宝石衬底以及旋涂后在真空环境中退火，从而可得到在预设晶体方向上具有优先取向的氧化镓薄膜，该薄膜具有优良的化学/物理性质和热稳定性，在日盲光电探测和电子器件制造等方面具有重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN118867059A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202411354861.X
申请日：2024-09-27
Applicant: 内蒙古工业大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/032 , H01L21/02
Abstract: 本发明属于氧化镓薄膜制备技术领域，公开了一种氧化镓异质外延薄膜的制备方法，包括：制备呈熔融状态的硫酸镓铵水合物；利用呈熔融状态的硫酸镓铵水合物制备前驱体溶液；将前驱体溶液分阶段旋涂至蓝宝石衬底上后在真空环境中退火，得到在预设晶体方向上具有优先取向的氧化镓薄膜。本发明使用硫酸镓铵水合物制备前驱体溶液，从而避免其为晶体状影响后续氧化镓薄膜的取向，进一步地，本发明采用分阶段旋涂的方式，限定所使用的衬底为蓝宝石衬底以及旋涂后在真空环境中退火，从而可得到在预设晶体方向上具有优先取向的氧化镓薄膜，该薄膜具有优良的化学/物理性质和热稳定性，在日盲光电探测和电子器件制造等方面具有重要的应用价值。
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