公开(公告)号：CN114226723B

公开(公告)日：2023-07-18

申请号：CN202111577492.7

申请日：2021-12-22

Applicant: 内蒙古工业大学

Inventor： 马文 ,  齐英伟 ,  李恩博 ,  白玉 ,  董红英 ,  李杨扬 ,  张鹏 ,  张辰楠 ,  刘红霞

IPC: B22F1/16 ,  B22F1/068 ,  B64C1/26 ,  C01G25/02 ,  C01G25/00

Abstract: 本发明公开氧化物陶瓷包覆金属铝的低红外、抗氧化复合材料、制备方法及其应用，复合材料以金属铝为核材料，以氧化物陶瓷粉体为包覆型壳材料；所述金属铝为片状金属Al粉，所述氧化物陶瓷粉体为氧化锆、锆酸锶或稀土锆酸盐。通过氧化物陶瓷包覆获得一种具有高温低红外辐射性能的核壳复合粉体材料。所制复合粉体可在600℃以下温度环境中长期保持较低红外辐射水平。室温至600℃范围，其中Al@ZrO2核壳复合粉体3‑5μm及8‑14μm波段红外辐射率分别为0.215‑0.256，0.213‑0.252。

公开(公告)号：CN114226723A

公开(公告)日：2022-03-25

申请号：CN202111577492.7

申请日：2021-12-22

Applicant: 内蒙古工业大学

Inventor： 马文 ,  齐英伟 ,  李恩博 ,  白玉 ,  董红英 ,  李杨扬 ,  张鹏 ,  张辰楠 ,  刘红霞

IPC: B22F1/16 ,  B22F1/068 ,  B64C1/26 ,  C01G25/02 ,  C01G25/00

Abstract: 本发明公开氧化物陶瓷包覆金属铝的低红外、抗氧化复合材料、制备方法及其应用，复合材料以金属铝为核材料，以氧化物陶瓷粉体为包覆型壳材料；所述金属铝为片状金属Al粉，所述氧化物陶瓷粉体为氧化锆、锆酸锶或稀土锆酸盐。通过氧化物陶瓷包覆获得一种具有高温低红外辐射性能的核壳复合粉体材料。所制复合粉体可在600℃以下温度环境中长期保持较低红外辐射水平。室温至600℃范围，其中Al@ZrO2核壳复合粉体3‑5μm及8‑14μm波段红外辐射率分别为0.215‑0.256，0.213‑0.252。

公开(公告)号：CN108249921A

公开(公告)日：2018-07-06

申请号：CN201810253048.1

申请日：2018-03-26

Applicant: 内蒙古工业大学

Inventor： 马文 ,  黄威 ,  孟祥锋 ,  李恩博 ,  董红英 ,  白玉 ,  陈伟东

IPC: C04B35/50 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明涉及一种陶瓷热障涂层及原位反应快速制备涂层的方法，属于无机非金属材料制备与应用领域。该涂层成分为La2(Ce1‑xMx)2O7+δ，M为Ti、Zr、Hf、Ta、Nb、Mo和W中的一种或者两种以上的组合，0.10≤x≤0.30，0≤δ≤0.6。本发明将可溶性镧盐、可溶性铈盐和可溶性M盐均匀混合并采用等离子喷涂的方法快速制备涂层。该制备方法具有简单、高效、成本低、可灵活调控涂层成分的特点，适合工业化生产。本发明通过溶液等离子喷涂制备的涂层具有优异的隔热性能和抗热冲击性能，涂层结构稳定，服役寿命长，可用于舰船发动机、航空发动机、地面燃气轮机、火箭发动机等高温合金，或难熔合金热端部件的高温防护。

公开(公告)号：CN110746186B

公开(公告)日：2021-08-13

申请号：CN201911176014.8

申请日：2019-11-26

Applicant: 内蒙古工业大学

Inventor： 马文 ,  李恩博 ,  白玉 ,  董红英 ,  张鹏 ,  张辰楠 ,  齐英伟 ,  陈伟东

IPC: C04B35/48

Abstract: 本发明公开一种Al3+掺杂型低红外、低热导率半导体陶瓷材料及其制备方法，半导体陶瓷材料的分子式为SrZr1‑xAlxO3，其中x为Al3+掺杂取代Zr的原子数百分数。制备方法是以锆酸锶SrZrO3为基体，掺杂不同比例的Al3+制备获得半导体陶瓷材料，具体包括如下步骤：(1)锆酸锶粉体制备；(2)素坯成型；(3)陶瓷烧制。本发明所制备的半导体陶瓷材料的红外辐射率在3‑5μm波段小于0.5，热导率低于2.5W·m‑1·K‑1，能够在室温至1400℃环境温度下使用，并且在600‑1200℃下的热导率可降至1.5W·m‑1·K‑1以下，可以很好的在高温环境中服役，并且在长期的高温环境中性能稳定，抗腐蚀氧化能力强。

公开(公告)号：CN110746186A

公开(公告)日：2020-02-04

申请号：CN201911176014.8

申请日：2019-11-26

Applicant: 内蒙古工业大学

Inventor： 马文 ,  李恩博 ,  白玉 ,  董红英 ,  张鹏 ,  张辰楠 ,  齐英伟 ,  陈伟东

IPC: C04B35/48

Abstract: 本发明公开一种Al3+掺杂型低红外、低热导率半导体陶瓷材料及其制备方法，半导体陶瓷材料的分子式为SrZr1-xAlxO3，其中x为Al3+掺杂取代Zr的原子数百分数。制备方法是以锆酸锶SrZrO3为基体，掺杂不同比例的Al3+制备获得半导体陶瓷材料，具体包括如下步骤：(1)锆酸锶粉体制备；(2)素坯成型；(3)陶瓷烧制。本发明所制备的半导体陶瓷材料的红外辐射率在3-5μm波段小于0.5，热导率低于2.5W·m-1·K-1，能够在室温至1400℃环境温度下使用，并且在600-1200℃下的热导率可降至1.5W·m-1·K-1以下，可以很好的在高温环境中服役，并且在长期的高温环境中性能稳定，抗腐蚀氧化能力强。