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公开(公告)号：CN119384088A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411942187.7
申请日：2024-12-27
Applicant: 内蒙古工业大学
IPC: H10F77/12 , H10F30/227 , H10F71/00
Abstract: 本发明提供了一种光电吸收转换层和一种自供电光电探测器及其制备方法，属于光电探测领域。本发明提供的光电吸收转换层，包括3层BixFeO3膜层，每层BixFeO3膜层中1≤x＜1.1，且每层BixFeO3膜层中x取值不相同。本发明提供的光电吸收转换层制备得到的自供电光电探测器在500nm光照条件下开路电压为0.46~0.66V，短路电流为1.13~1.6×10‑4A/cm2，在500nm光照条件下零偏压I‑t曲线表明自供电光电探测器具有稳定的光响应现象；通过调整每层BixFeO3膜层中x的取值，设计得到不同缺陷浓度纵向分布的光电吸收转换层，进而实现对自供电光电探测器光电流密度和光生电压的调控。
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