公开(公告)号：CN114047230A

公开(公告)日：2022-02-15

申请号：CN202111203117.6

申请日：2021-10-15

Applicant: 光华临港工程应用技术研发(上海)有限公司

Inventor： 卢红亮 ,  吴滔滔 ,  朱立远

IPC: G01N27/12

Abstract: 本发明提供了一种支化纳米线结构的气敏纳米材料的制备方法，包括如下步骤：提供NH4F的溶液；将金属铌片置于溶液中进行纳米线生长，在铌片表面生长出Nb2O5纳米线；采用原子层沉积技术在生长有Nb2O5纳米线的铌片表面制备ZnO壳层薄膜；提供6.25～25mM的Zn(NO3)2和6.25～25mM的HMT的混合溶液；将表面包覆ZnO和Nb2O5纳米线的铌片放置于混合溶液中，在其表面支化生长出ZnO支化纳米线；将Nb2O5‑ZnO支化纳米线从铌片衬底上转移分散至去离子水中，获得Nb2O5‑ZnO支化纳米线悬浮液；再将得到的悬浮液滴石英片衬底上，干燥并冷却后得到Nb2O5‑ZnO支化纳米线结构的气敏纳米材料。

公开(公告)号：CN112763549B

公开(公告)日：2022-11-25

申请号：CN202011581380.4

申请日：2020-12-28

Applicant: 光华临港工程应用技术研发(上海)有限公司

Inventor： 卢红亮 ,  杨佳赫 ,  袁凯平 ,  朱立远

IPC: G01N27/12 ,  B82Y15/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明提供了一种气敏传感器的制备方法，包括：提供一α‑Fe2O3纳米线；在所述α‑Fe2O3纳米线的表面沉积ZnO籽晶层，形成α‑Fe2O3/ZnO核壳纳米线；对所述α‑Fe2O3/ZnO纳米线进行电极沉积，形成气敏传感器前驱体；对所述气敏传感器前驱体中α‑Fe2O3/ZnO核壳纳米线进行枝化，形成基于单根α‑Fe2O3纳米线表面枝化ZnO纳米线结构的气敏传感器。本发明采用在给核壳纳米线搭上电极后再进行纳米线枝化的方法，结合了粉体纳米结构和单根纳米结构的优势，克服了在复杂结构上搭盖电极容易被戳破的困难。制备工艺可重复性强，成品率高，有利于规模化制备。有效地提高气敏传感器对H2S气体响应，且具有利于小型集成化、高比表面积以及优良稳定性等优点，提升了对气体的敏感性。

公开(公告)号：CN112763549A

公开(公告)日：2021-05-07

申请号：CN202011581380.4

申请日：2020-12-28

Applicant: 光华临港工程应用技术研发(上海)有限公司

Inventor： 卢红亮 ,  杨佳赫 ,  袁凯平 ,  朱立远

IPC: G01N27/12 ,  B82Y15/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明提供了一种气敏传感器的制备方法，包括：提供一α‑Fe2O3纳米线；在所述α‑Fe2O3纳米线的表面沉积ZnO籽晶层，形成α‑Fe2O3/ZnO核壳纳米线；对所述α‑Fe2O3/ZnO纳米线进行电极沉积，形成气敏传感器前驱体；对所述气敏传感器前驱体中α‑Fe2O3/ZnO核壳纳米线进行枝化，形成基于单根α‑Fe2O3纳米线表面枝化ZnO纳米线结构的气敏传感器。本发明采用在给核壳纳米线搭上电极后再进行纳米线枝化的方法，结合了粉体纳米结构和单根纳米结构的优势，克服了在复杂结构上搭盖电极容易被戳破的困难。制备工艺可重复性强，成品率高，有利于规模化制备。有效地提高气敏传感器对H2S气体响应，且具有利于小型集成化、高比表面积以及优良稳定性等优点，提升了对气体的敏感性。